恭喜中国电子科技集团公司第十三研究所刘佳佳获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种半导体器件的隔离制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111575095.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件的隔离制备方法是由刘佳佳;胡泽先;谭永亮;吕鑫;马杰;刘相伍设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的隔离制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的隔离制备方法。该方法包括：在衬底表面依次生长高阻外延层、介质膜层；对介质膜层的与有源区对应的部分进行刻蚀，露出高阻外延层；对露出的高阻外延层进行指定深度的刻蚀；在高阻外延层的刻蚀区域外延生长器件层。本发明能够通过设置高阻外延层，在高阻外延层刻蚀凹槽，在凹槽内生长器件层，高阻外延层保护器件层的侧面，减少了侧面漏电。
本发明授权一种半导体器件的隔离制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的隔离制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底表面依次生长高阻外延层、介质膜层；对所述介质膜层的与有源区对应的部分进行刻蚀，露出高阻外延层；对露出的高阻外延层进行指定深度的刻蚀；在高阻外延层的刻蚀区域外延生长器件层；其中，所述高阻外延层的厚度大于所述器件层的厚度；所述器件层的厚度与所述指定深度相同；所述高阻外延层的电阻率大于106欧姆·厘米；所述高阻外延层的材料与所述器件层的材料包括同一种材料；高阻外延层和器件层采用同一种材料进行同质外延生长。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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