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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111513906.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构是由王佰胜;金锋;潘山山;苗彬彬;周柳怡;朱冬慧;都文韬设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，第一至第三横向平直部、U型部以及纵向平直部；U型部包括第一、第二U型纵向部以及U型端；第一、第二U型纵向部的一端分别连接于U型端的两端；第一横向平直部的一端连接于U型部中第一U型纵向部的另一端；第二U型纵向部的另一端与第二横向平直部的一端连接；第二横向平直部的另一端连接于纵向平直部的一端；纵向平直部的另一端连接于第三横向平直部的一端；第一、第二横向平直部处于一条直线上；第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；U型部处于第一、第二横向平直部与第三横向平直部之间。本发明集成了升压二极管的高压环结构，这种结构增加LDMOS宽度并增大升压二极管的电流。

本发明授权一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构在权利要求书中公布了：1.一种集成增加集成在高压环内升压二极管电流的结构，其特征在于，至少包括：第一至第三横向平直部、U型部以及纵向平直部；所述U型部包括第一、第二U型纵向部以及U型端；其中所述第一、第二U型纵向部的一端分别连接于所述U型端的两端；所述第一横向平直部的一端连接于所述U型部中所述第一U型纵向部的另一端；所述第二U型纵向部的另一端与所述第二横向平直部的一端连接；所述第二横向平直部的另一端连接于所述纵向平直部的一端；所述纵向平直部的另一端连接于所述第三横向平直部的一端；所述第一、第二横向平直部处于一条直线上；所述第三横向平直部与所述第一、第二横向平直部相互平行；并且所述U型部处于所述第一、第二横向平直部与所述第三横向平直部之间；所述第一至第三横向平直部、U型部以及纵向平直部分别包括：外延区，位于所述外延区内的P阱、位于所述P阱内表面的N阱；位于所述N阱内表面的第一N+区；所述第一N+区边缘的一侧设有从所述N阱上表面延伸至所述P阱上表面的第一多晶硅栅；所述N阱远离所述第一多晶硅栅一侧的所述P阱内上表面设有P+区。

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