恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司蔡新树获国家专利权
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龙图腾网恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111101296.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元是由蔡新树;陈学深;卓荣发;郭克文设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元在说明书摘要公布了：本发明涉及具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元，揭示了用于分栅闪存单元的结构和形成用于分栅闪存单元的结构的方法。在半导体基板中形成沟槽。在半导体基板中形成第一和第二源极漏极区域。第一栅极横向位于沟槽和第二源极漏极区域之间，且第二栅极包括沟槽内的部分。第一源极漏极区域位于沟槽下方的半导体基板中。介电层位于沟槽内的第二栅极的部分和半导体基板之间。
本发明授权具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元在权利要求书中公布了：1.一种用于闪存单元的结构，所述结构包括：半导体基板，包括沟槽；第一源极漏极区域和第二源极漏极区域，位于所述半导体基板中，所述第一源极漏极区域位于所述沟槽下方，且所述第二源极漏极区域与所述第一源极漏极区域横向间隔；阱，位于围绕所述沟槽的所述半导体基板的一部分中，其中，所述阱提供设置在所述第一源极漏极区域和所述第二源极漏极区域之间的沟槽区域；第一栅极，横向位于所述沟槽与所述第二源极漏极区域之间；第二栅极，包括所述沟槽内的第一部分及所述第一部分上方的第二部分，所述第二栅极的所述第二部分横向延伸以与所述第一栅极重叠；第一介电层，包括所述沟槽内的第一部分及位于所述第二栅极的所述第二部分和所述第一栅极之间的第二部分，所述第一介电层的所述第一部分位于所述第二栅极的所述第一部分和所述半导体基板之间；以及第二介电层，位于所述第一栅极和所述第一介电层的所述第二部分之间。
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