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龙图腾网恭喜三星SDI株式会社申请的专利半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180036970.5，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法是由文京守;姜恩美;金宰贤;金智敏;金兑镐;禹昌秀;田桓承;蔡承龙;韩承设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组成物及使用所述半导体光致抗蚀剂组成物形成图案的方法。所述半导体光致抗蚀剂组成物包含溶剂及由化学式1表示的有机金属化合物。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。所述半导体光致抗蚀剂组成物可提供具有优异极限解析度并且即使具有高纵横比亦不会塌陷的光致抗蚀剂图案。[化学式1]

本发明授权半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光致抗蚀剂组成物，包含由化学式1表示的有机金属化合物及溶剂，其中以100重量％的所述半导体光致抗蚀剂组成物计，包含1重量％至30重量％的由所述化学式1表示的所述有机金属化合物：[化学式1] 其中，在所述化学式1中，R为经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、包含至少一个双键或三键的经取代或未经取代的C2至C20脂族不饱和有机基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、乙氧基、丙氧基、-C＝OR1或其组合，其中R1为氢或经取代或未经取代的C1至C20烷基，X、Y及Z各自独立地为-ORa、-SRb、-OC＝ORc或-SC＝ORd，Ra及Rb各自独立地为经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或其组合，且Rc及Rd各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C2至C20炔基、经取代或未经取代的C6至C30芳基或其组合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星SDI株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。