恭喜稳懋半导体股份有限公司翁国隆获国家专利权
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龙图腾网恭喜稳懋半导体股份有限公司申请的专利体声波共振器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110941171.4，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权体声波共振器及其形成方法是由翁国隆;张家达;谢子笙;魏君如设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本体声波共振器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种体声波共振器及其形成方法。前述体声波共振器的形成方法包括：形成牺牲结构在基板上，形成晶种层在牺牲结构上，形成底电极在晶种层上，形成压电层在底电极上，形成顶电极在压电层上，移除牺牲结构以形成空腔，经由空腔刻蚀晶种层。本发明实施例在形成底电极与压电层之后，选择性地移除在体声波共振器的主动区域中的晶种层。因此，可以在不让底电极与压电层的品质劣化的情况下，改善体声波共振器的品质因数及或机电耦合系数。
本发明授权体声波共振器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种体声波共振器的形成方法，其特征在于，包括：形成一牺牲结构在一基板上；形成一晶种层在该牺牲结构上；形成一底电极在该晶种层上；形成一压电层在该底电极上；形成一顶电极在该压电层上；移除该牺牲结构以形成一空腔；经由该空腔刻蚀该晶种层；以及形成一开口在该晶种层中，且该开口暴露该底电极的一底表面的至少一部分及该底电极的一底表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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