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龙图腾网恭喜松山湖材料实验室申请的专利深紫外LED的封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110637940.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权深紫外LED的封装结构及其制作方法是由康俊杰;李永德;王维昀;王新强;王后锦;罗巍;袁冶;唐波;张紫珊设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本深紫外LED的封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深紫外LED的封装结构及其制作方法，通过光刻、腐蚀在硅片上形成具有倾斜面的硅反射杯，并蒸镀有深紫外反射层，实现深紫外LED横向光强的垂直反射，减少LED芯片横向光强的损失，提高电光效率，减少热效应，提高芯片的可靠性，而且若干硅反射杯呈阵列式分布，提升集成光源的光分布均匀性。本发明提供的深紫外LED的封装结构设计合理，省去传统围坝等结构，减少封装成本，直接在硅片上设有多个硅反射杯，通过硅反射杯的倾斜面控制深紫外LED的出光角度，方向性更强且可控，有效减少横向光强的损失，增强正面出光，不仅提升深紫外LED的电光效率，确保了出光一致性和光分布均匀性，而且整体结构简单、紧凑，易于封装。

本发明授权深紫外LED的封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外LED的封装结构的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：（1）在硅片上涂覆光刻胶；（2）对光刻胶进行曝光、显影，在光刻胶上显影出所需微槽阵列图形；（3）采用湿法腐蚀硅片，在硅片上形成若干微槽，继续腐蚀硅片直到微槽穿透硅片的底面，形成硅反射杯；所述微槽的槽壁为倾斜面；（4）去除硅片上的光刻胶；（5）在所述硅反射杯上设有深紫外反射层；（6）将硅片贴合在具有金属线路的陶瓷基板上，深紫外LED芯片位于硅反射杯的中心位置并固定在陶瓷基板上，且与陶瓷基板上的金属线路导通；（7）用高透隔板贴合在硅片上表面实现对所述硅反射杯进行气密封装；所述步骤（1）在涂覆光刻胶之前，采用丙酮或和乙醇对硅片进行清洗，随后用去离子水冲洗干净，接着用氮气吹干；在吹干硅片之后，将硅片放入氧化炉进行氧化处理，在硅片表面获得厚度为5-200nm的氧化硅层；所述步骤（3）包括以下步骤：（3.1）将硅片放入HF溶液进行去除表面氧化层；（3.2）将硅片放入碱性水溶液进行腐蚀，在硅片上形成若干微槽；（3.3）继续腐蚀硅片10～60分钟，直到微槽穿透硅片的底面，形成硅反射杯；所述微槽的槽壁倾斜角度为50～60度。

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