恭喜ASMIP私人控股有限公司姜成圭获国家专利权
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龙图腾网恭喜ASMIP私人控股有限公司申请的专利形成薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113493906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110339032.4，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权形成薄膜的方法是由姜成圭;崔钟完;金英勋;金熙哲;李庚垠;柳太熙设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于填充间隙而无缝隙或空隙的衬底处理方法，所述方法包含：在反应室中提供具有间隙的衬底，对所述反应室进行抽气到5托或以下的压力，以及通过交替且依次供应前体、反应物和包含相对高射频分量和相对低射频分量的射频电磁辐射来用膜填充所述间隙。
本发明授权形成薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底处理方法，其包含：在反应室中提供具有沟槽的衬底；对所述反应室进行抽气到5托或以下的压力；并且通过沉积循环用膜填充所述沟槽，所述沉积循环包含：供应前体；连续供应反应物；供应包含高射频分量和低射频分量的射频电磁辐射；以及重复该沉积循环直到所述沟槽被膜填充，其中所述高射频分量的频率为12到60MHz，所述低射频分量的频率为0.3到2MHz。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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