恭喜通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(金堂)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司王锦乐获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(金堂)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司申请的专利一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110177396.7，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法是由王锦乐;肖俊峰设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的HJT电池包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面依次设置本征非晶硅层、SiO2层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、TCO导电层和电极；所述N型晶体硅片的背面依次设置本征非晶硅层、SiO2层、C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、TCO导电层和电极，非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本发明制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。
本发明授权一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光电转换效率的HJT电池，包括N型晶体硅片1，其特征在于：所述N型晶体硅片1的正面依次设置本征非晶硅层301、SiO2层302、C掺杂SiO2层303、非晶硅掺杂N型层、TCO导电层7和电极9；所述N型晶体硅片1的背面依次设置本征非晶硅层201、SiO2层202、C掺杂SiO2层203、非晶硅掺杂P型层、TCO导电层6和电极8；非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层501和重掺P非晶硅层502，轻掺P非晶硅层501靠近C掺杂SiO2层303，重掺P非晶硅层502靠近TCO导电层7；非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层401和重掺B非晶硅层402，轻掺B非晶硅层401靠近C掺杂SiO2层203，重掺B非晶硅层402靠近TCO导电层6。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(金堂)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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