恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郭俊铭获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110087771.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置及其制造方法是由郭俊铭;陈欣志;许哲源;刘国庆;蔡函育;林宥霆;张壬泓设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体衬底、至少一个半导体鳍及栅极堆叠。半导体鳍设置在半导体衬底上。半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于第一部分与第二部分之间的第一颈部部分。第一部分的宽度随着第一部分变得更靠近第一颈部部分而减小，且第二部分的宽度随着第二部分变得更靠近半导体衬底的底表面而增大。栅极堆叠部分地覆盖半导体鳍。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的绝缘体；至少一个半导体鳍，位于所述半导体衬底上，所述至少一个半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于所述第一部分与所述第二部分之间的第一颈部部分，其中所述第一部分的宽度随着所述第一部分变得更靠近所述第一颈部部分而减小，且所述第二部分的宽度随着所述第二部分变得更靠近所述半导体衬底的底表面而增大；以及栅极堆叠，部分地覆盖所述至少一个半导体鳍；以及源极漏极结构，所述源极漏极结构位于所述栅极堆叠的相对侧上，其中所述源极漏极结构的侧壁具有转折点，且所述转折点的高度实质上与所述第一颈部部分的高度相同，以及位于所述绝缘体之间的所述源极漏极结构的部分具有实质上恒定的宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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