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龙图腾网恭喜江阴长电先进封装有限公司申请的专利一种堆叠晶圆的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112382629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011632856.2，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权一种堆叠晶圆的封装结构及其封装方法是由陈海杰;王金峰;陈栋;陈锦辉;谢皆雷设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种堆叠晶圆的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、承载晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于承载晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，从下而上，所述晶圆尺寸逐渐减小，其四周形成阶梯状的侧壁，于承载晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C2的正面及其阶梯状的侧壁涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接。本发明提供了多层堆叠晶圆结构及其制作方法。

本发明授权一种堆叠晶圆的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶圆的封装结构，其特征在于，其包括晶圆堆叠体C1、晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C1设置于晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括依次堆叠的晶圆B1、晶圆B2、晶圆B3和晶圆B4，所述晶圆堆叠体C1中的晶圆B1与晶圆A1面对面键合形成晶圆堆叠体C2；每一晶圆包括硅基（100）、硅穿孔（101）、介电层Ⅰ（110）和金属互联层（120），所述硅穿孔（101）上下贯穿硅基（100），所述介电层Ⅰ（110）设置于硅基（100）的上方并通过介电层Ⅰ开口露出金属互联层（120）；从下而上，所述晶圆尺寸逐层减小，其四周形成阶梯状的侧壁，于晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C2的正面涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ（300）向下涂覆晶圆堆叠体C2的阶梯状的侧壁，所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接；所述晶圆B1、晶圆B2、晶圆B3、晶圆B4修整后边缘距离晶圆A1边缘的长度之和与晶圆B1、晶圆B2、晶圆B3、晶圆B4总厚度的比值不小于2:1。

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