恭喜三菱电机株式会社川添智香获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法、半导体装置以及电力转换装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114762093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080083528.3,技术领域涉及:H01L21/56;该发明授权半导体装置的制造方法、半导体装置以及电力转换装置是由川添智香;藤野纯司;北川达哉;村田大辅;梶勇辅设计研发完成,并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法、半导体装置以及电力转换装置在说明书摘要公布了:在陶瓷基板5搭载半导体元件19。将搭载了半导体元件19的陶瓷基板5收容在壳体13内。使硅烷偶联剂的溶液流入壳体13内。除去壳体13内的溶液。对在使溶液流入壳体13内的工序中附着于半导体元件19等的溶液施加处理,从而在半导体元件19等的表面形成底涂剂层35。通过在壳体13内填充密封材料37,对形成有底涂剂层35的半导体元件19等进行密封。
本发明授权半导体装置的制造方法、半导体装置以及电力转换装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置的半导体元件由密封材料密封,其中,具备:形成要由所述密封材料密封的、包括所述半导体元件的被密封构件的工序;将所述被密封构件收容在壳体内的工序;使硅烷偶联剂的溶液流入所述壳体内的工序;除去所述壳体内的所述溶液的工序;对在使所述溶液流入所述壳体内的工序中附着于所述被密封构件的所述溶液施加处理,从而在所述被密封构件的表面形成底涂剂层的工序;以及通过在所述壳体内填充密封材料,对形成有所述底涂剂层的所述被密封构件进行密封的工序,形成所述底涂剂层的工序包括在所述半导体元件的表面形成所述底涂剂层的工序。
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