恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林孟汉获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置以及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011311530.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体装置以及制造半导体装置的方法是由林孟汉;谢智仁;黄志斌;詹景文设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置以及制造半导体装置的方法。该方法包含在基板的周边区域中，形成第一隔离特征；在形成第一隔离特征之后，凹陷基板的单元区域；在凹陷基板的单元区域之后，在基板的单元区域中，形成第二隔离特征；在基板的单元区域上，形成多个控制栅极；以及在基板的周边区域上，形成栅极堆叠。
本发明授权半导体装置以及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：在一基板的一周边区域中，蚀刻一第一沟槽；以一第一介电材料填满该第一沟槽，以在该第一沟槽中形成一第一隔离特征；在以该第一介电材料填满该第一沟槽之后，凹陷该基板的一单元区域；在凹陷该基板的该单元区域之后，在该基板的该单元区域中，形成一第二隔离特征；在该基板的该单元区域上，形成多个控制栅极；以及在该基板的该周边区域上，形成一栅极堆叠。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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