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龙图腾网恭喜刘宝成申请的专利一种NMOS高侧驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112134552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011177208.2，技术领域涉及：H03K17/567；该发明授权一种NMOS高侧驱动电路是由刘宝成设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NMOS高侧驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种NMOS高侧驱动电路，特别是涉及一种含有微控制器的、用于直流电源开、关控制的NMOS高侧驱动电路。包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置。在这种控制中NMOS管相当于电源开关，NMOS管饱和导通相当于开关闭合，NMOS管截止相当于开关断开，而一般NMOS管饱和导通需要栅极电位高于源极电位4V甚至10V以上，现有技术一般需要使用专用驱动芯片或升压变压器提供这个驱动电压，本发明利用系统本身含有的微控制器及常见电阻、电容等低成本元器件产生NMOS高侧驱动所需的驱动电压。这种NMOS高侧驱动电路具有电路简单、易于实现的特点，可以降低电路设计的复杂度，提升产品的性价比。

本发明授权一种NMOS高侧驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种NMOS高侧驱动电路，包括微控制器电路、光电隔离电路、升压驱动电路、NMOS管、辅助电源电路、被控直流电源和被控负载或用电装置；其特征在于：所述的微控制器电路和升压驱动电路、辅助电源电路、被控直流电源、被控负载或用电装置各自使用两个独立电源，通过光电隔离电路进行隔离，所述微控制器电路产生一定频率的方波，该方波经所述光电隔离电路送入所述升压驱动电路进行整流升压，所述升压驱动电路中电容C8的一端连接到NMOS管的源极，电容C8的另一端连接到NMOS管的栅极，作为所述NMOS管的栅极和源极的驱动电压，所述NMOS管的漏极接所述的被控直流电源，所述NMOS管的源极接所述被控负载或用电装置的电源正极性端，所述辅助电源电路的输入由所述被控直流电源提供，所述辅助电源电路为所述升压驱动电路提供电源。

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