恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈志彬获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010960817.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器装置及其制造方法是由陈志彬;刘铭棋设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包含第一分离栅极存储单元，所述第一分离栅极存储单元包含位于衬底上方的第一存储堆叠。第一存储堆叠包含第一浮动栅极和位于第一浮动栅极上方的第一控制栅极。分离栅极存储单元还包含邻近于第一浮动栅极和第一控制栅极的第一选择栅极，以及位于第一选择栅极的顶部表面的一部分上方的接触件蚀刻停止层。接触件蚀刻停止层能够在蚀刻工艺期间使漏极接触件通孔变窄。通过使漏极接触件通孔变窄，可增加分离栅极存储单元的密度。
本发明授权存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括：第一分离栅极存储单元,包括：第一存储堆叠,位于衬底上方,所述第一存储堆叠包括：第一浮动栅极；以及第一控制栅极，位于所述第一浮动栅极上方；第一选择栅极,邻近于所述第一浮动栅极和所述第一控制栅极；第一接触件蚀刻停止层,位于所述第一选择栅极的顶部表面的一部分上方；主侧壁间隔件，侧向接触所述第一选择栅极以及所述第一接触件蚀刻停止层；第一漏极区，邻近于所述第一存储堆叠；以及第一自对准漏极区接触件，纵向延伸至所述第一漏极区并经由所述主侧壁间隔件侧向接触所述第一选择栅极以及所述第一接触件蚀刻停止层，且具有位于所述第一接触件蚀刻停止层处的轮廓不连续性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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