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龙图腾网恭喜保罗·谢勒学院申请的专利用于制造光子装置的元件的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114223051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080057026.3，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权用于制造光子装置的元件的系统和方法是由卢恰·罗马诺;马可·斯坦帕诺尼;康斯坦钦斯·叶菲莫夫斯基;马蒂亚斯·卡贾斯;霍安·维拉·科马马拉设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造光子装置的元件的系统和方法在说明书摘要公布了：本公开提供了通过使用连续金属网和在呈连续流的空气和蚀刻剂的存在下进行蚀刻而在半导体基底中制造作为光子装置的元件的高纵横比图案的方法。在一种方法中，涉及形成稳定的金属‑半导体合金的稳定催化剂允许即使在非常低的氧化剂浓度例如存在于空气中的氧化剂物质的条件下也在垂直方向上蚀刻基底而无需任何外部偏压或磁场，从而在半导体基底中实现非常高的纵横比结构。半导体基底上的金属层与空气中包含的氧化剂反应，并通过蚀刻剂催化半导体蚀刻。在一种方法中，通过使经水稀释的HF溶液蒸发来供应蚀刻剂。在金属层附近呈连续流的空气允许在金属层附近保持恒定的氧化剂浓度。这有利于反应物物质和蚀刻副产物的传质，因此该过程可以长时间持续以形成非常高的纵横比结构。一旦形成经蚀刻的半导体结构，连续的空气流支持反应物物质扩散通过经蚀刻的半导体结构，从而保持高纵横比结构的均匀蚀刻速率。连续的空气流支持反应副产物的扩散，从而避免抑制蚀刻反应。用这种方法可以获得具有约10000:1的纵横比的结构。该方法具有优异的纳米尺度上的图案转移能力。由于氧化剂可以通过普通空气提供，因此该系统具有特别的实施优势，因为它不需要对危险和易燃气体例如O2气体或不稳定化学品例如H2O2进行任何处理。

本发明授权用于制造光子装置的元件的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种通过气相中的金属辅助化学蚀刻制造光子装置的元件的方法，包括以下步骤：a提供半导体基底和其上的图案化金属层；b将所述半导体基底和其上的所述图案化金属层暴露于气相的反应物，其中所述反应物包含氧化剂气体和蚀刻剂气体，其中所述氧化剂气体包含空气以及其中所述蚀刻剂气体包含氢氟酸，以及其中所述反应物以连续流或脉冲流供应至所述半导体基底和其上的所述图案化金属层，其中所述氧化剂气体中的氧气的浓度通过H2O2在铂表面上分解而局部增加，所述铂表面为浸入在包含H2O2的液体溶液中的包含铂的固体件，其中液相的H2O2在所述铂表面上的分解产生气相的O2，其中所述液体溶液置于容器中并且液体不与所述半导体基底和其上的所述图案化金属接触。

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