恭喜朗姆研究公司周翔获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111615742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880087023.7，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻是由周翔;木村吉江;张杜明;许晨;加内什·乌帕德亚雅;米切尔·布鲁克斯设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻在说明书摘要公布了：本发明描述了使用集成式原子层沉积ALD和蚀刻处理来对衬底特征进行关键尺寸CD控制的方法和装置。方法包括：蚀刻以在衬底上形成特征掩模图案，该宽度小于待随后通过该特征掩模图案形成的结构的期望宽度；通过ALD保形地沉积钝化层，从而增加特征掩模图案的宽度到所述期望宽度，并蚀刻衬底的层至所需的深度以形成具有所述期望宽度的多个结构。
本发明授权针对关键尺寸控制在单一等离子体室中的原子层沉积和蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种关键尺寸控制的方法，其包含：在等离子体室中蚀刻衬底的第一层以形成特征掩模图案，所述特征掩模图案所具有的宽度小于待由所述特征掩模图案所形成的多个结构的期望宽度，其中所述特征掩模图案包含在孤立特征区域中的一个或多个孤立特征以及在密集特征区域中的一个或多个密集特征，所述密集特征区域具有比所述孤立特征区域大的特征密度；在所述等离子体室中通过原子层沉积以在所述特征掩模图案上沉积第一钝化层，所述第一钝化层被沉积以具有使所述特征掩模图案的宽度增加至所述期望宽度的厚度；在所述等离子体室中蚀刻所述衬底的第二层以形成具有所述期望宽度的所述多个结构；以及在所述等离子体室中重复通过原子层沉积的沉积操作和蚀刻所述第二层的操作，其中，在重复通过原子层沉积的沉积操作和蚀刻所述第二层的操作之后，关键尺寸增益在所述孤立特征区域中的孤立特征与所述密集特征区域中的密集特征之间是相同或实质上相似的。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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