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龙图腾网恭喜帝京半导体科技(苏州)有限公司申请的专利半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119982990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510475617.7，技术领域涉及：F16K31/122；该发明授权半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀是由黎纠;段宇;金埈焕;李宰明;孙志开设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀，涉及真空隔离传输阀技术领域，包括阀体和阀板组件，所述阀体的表面开设有阀口，所述阀板组件设置于阀体的底部，所述阀板组件包括气缸缸体、进气端口、空心活塞杆、电子阀、阀板主体、气囊和平移副板，所述气缸缸体的底部设置有进气端口，所述空心活塞杆的底部嵌入有电子阀，所述阀板主体的侧面内部内嵌有气囊。该半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀，无需复杂的传动部件，能够有效节省安装空间，特别适用于空间紧凑的场合，且减少了机械传动过程中的间隙、磨损等因素对运动精度的影响，而且整体结构相对简单，减少了机械部件之间的摩擦和磨损，降低了因部件损坏而需要更换的频率。

本发明授权半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀在权利要求书中公布了：1.半导体CVD设备用超高真空隔离传输阀，包括阀体（1）和阀板组件（3），其特征在于：所述阀体（1）的表面开设有阀口（2），所述阀板组件（3）设置于阀体（1）的底部，所述阀板组件（3）包括气缸缸体（301）、进气端口（302）、空心活塞杆（303）、电子阀（304）、阀板主体（305）、气囊（306）和平移副板（307），所述气缸缸体（301）的底部设置有进气端口（302），且气缸缸体（301）的顶部穿设有空心活塞杆（303），所述空心活塞杆（303）的底部嵌入有电子阀（304），且空心活塞杆（303）的顶部固定有阀板主体（305），所述阀板主体（305）的侧面内部内嵌有气囊（306），且气囊（306）的侧面连接有平移副板（307），所述阀板主体（305）的内部呈空心结构，且气囊（306）通过阀板主体（305）与空心活塞杆（303）相连通，所述空心活塞杆（303）的底部于电子阀（304）一侧设置有排气软管（4），且排气软管（4）的端部连接有三通阀（5），所述三通阀（5）的顶部为第一端口其与排气软管（4）相连接，且三通阀（5）的侧面为第二端口，所述三通阀（5）的底部为第三端口，所述气缸缸体（301）底部于进气端口（302）的一侧设置有排气端口（6），且排气端口（6）与三通阀（5）的第三端口相连接，包括下述使用步骤： 步骤一：通过进气端口（302）向气缸缸体（301）内部注气，使得空心活塞杆（303）携带阀板主体（305）、平移副板（307）向上移动至通道关闭位置，而后向气缸缸体（301）内部持续注气，同时电子阀（304）打开，从而使得多余气体穿过空心活塞杆（303）、阀板主体（305）后进入气囊（306）内部，气囊（306）因此鼓胀从而推动平移副板（307）平移以与阀体（1）内壁紧贴，此时平移副板（307）封闭阀口（2）使得腔室之间的通道得以封闭； 步骤二：需要打开腔室之间的通道时，此时三通阀（5）的第一端口、第三端口优先打开，而第二端口暂时关闭，使得气囊（306）中的气体穿过阀板主体（305）、空心活塞杆（303）、排气软管（4）、第一端口、第三端口后从排气端口（6）处向外排出，此时平移副板（307）收缩回移，而后第二端口打开，使得气缸缸体（301）内部穿过第三端口后从排气端口（6）处向外排出，由此实现平移副板（307）先回缩而后阀板主体（305）携带其下降。

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