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龙图腾网恭喜北京量子信息科学研究院申请的专利一种InAs/InP量子点单光子源器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965672B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510423210.X，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种InAs/InP量子点单光子源器件及其制备方法是由冀伟杰;袁之良设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InAs/InP量子点单光子源器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种InAsInP量子点单光子源器件及制备方法，包括：制备InP基片，自上而下依次包括InAsInP量子点层、InGaAs牺牲层、InP衬底层；InP基片InAsInP量子点层表面沉积SiO2间隔层；SiO2间隔层表面蒸镀Au镜层；GaAs衬底表面蒸镀Au镜层；用倒装焊技术使InP基片Au镜层与GaAs衬底Au镜层结合；湿法腐蚀去除InP衬底层和InGaAs牺牲层；在InAsInP量子点层表面沉积第一掩膜层；在第一掩膜层表面制备第二掩膜层，曝光显影；对第一掩膜层干法刻蚀；对InAsInP量子点层干法刻蚀，得InAsInP量子点单光子源器件。可增强光场限制和反射效率，实现高Q值谐振腔，提升单光子源亮度和纯度。

本发明授权一种InAs/InP量子点单光子源器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InAsInP量子点单光子源器件的制备方法，其特征在于，包括： 制备InP基片，所述InP基片自上而下依次包括InAsInP量子点层、InGaAs牺牲层、InP衬底层； 在所述InP基片的所述InAsInP量子点层表面沉积SiO2间隔层； 在所述SiO2间隔层的表面蒸镀Au镜层； 在GaAs衬底表面蒸镀Au镜层； 采用倒装焊技术使所述InP基片的所述Au镜层与所述GaAs衬底的Au镜层相结合； 采用湿法腐蚀去除所述InP衬底层和所述InGaAs牺牲层； 在所述InAsInP量子点层的表面沉积环形布拉格光栅的第一掩膜层； 在所述第一掩膜层表面制备第二掩膜层，并进行曝光、显影； 对所述第一掩膜层进行干法刻蚀； 对所述InAsInP量子点层进行干法刻蚀，获得所述InAsInP量子点单光子源器件。

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