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龙图腾网恭喜中国科学技术大学;合肥国家实验室申请的专利用于测量冷等离子体能量分布的能谱仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510377439.4，技术领域涉及：G01T1/36；该发明授权用于测量冷等离子体能量分布的能谱仪是由李毅人;何世湘;汪毓明;陈满明;刘凯;郝新军;潘宗浩设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于测量冷等离子体能量分布的能谱仪在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于测量冷等离子体能量分布的能谱仪，可以应用于电离层等离子体探测技术领域。该能谱仪包括：第一接地外壳设有入口通道；第二接地外壳中半球形结构外壳的半球面设有第一通道孔径，第一圆环结构外壳设有第二通道孔径；第一偏置电极产生的第一匀强电场通过第二通道孔径在第一圆环结构外壳和第一接地外壳的顶部之间产生第一边缘溢出场；第二偏置电极中半球形结构电极的底部中心位置设有孔隙，半球面设有第三通道孔径，第二偏置电极产生的第二匀强电场通过第一通道孔径在半球形结构外壳和第一接地外壳的顶部之间产生第二边缘溢出场，半球形结构电极内部为无场漂移区；能量分布确定系统用于确定接收到的冷等离子体的能量分布信息。

本发明授权用于测量冷等离子体能量分布的能谱仪在权利要求书中公布了：1.一种用于测量冷等离子体能量分布的能谱仪，其特征在于，所述能谱仪包括： 第一接地外壳，设置有入口通道； 第二接地外壳，包括半球形结构外壳、第一圆环结构外壳和第二圆环结构外壳，所述半球形结构外壳的半球面设置有第一通道孔径，所述第一圆环结构外壳设置有第二通道孔径； 第一偏置电极，位于所述第一圆环结构外壳和所述第二圆环结构外壳之间，所述第一偏置电极产生的第一匀强电场通过所述第二通道孔径在所述第一圆环结构外壳和所述第一接地外壳的顶部之间产生第一边缘溢出场； 第二偏置电极，包括半球形结构电极，所述半球形结构电极的底部中心位置设置有孔隙，所述半球形结构电极的半球面设置有第三通道孔径，所述第二偏置电极产生的第二匀强电场通过所述第一通道孔径在所述半球形结构外壳和所述第一接地外壳的顶部之间产生第二边缘溢出场，所述半球形结构电极内部为无场漂移区； 能量分布确定系统，用于确定接收到的冷等离子体的能量分布信息；其中，能依次经过所述入口通道、所述第一边缘溢出场、所述第二边缘溢出场、所述第二匀强电场、所述无场漂移区和所述孔隙射入所述能量分布确定系统的冷等离子体的能量大小满足预设条件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学;合肥国家实验室，其通讯地址为：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。