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龙图腾网恭喜深圳市爱普特微电子有限公司申请的专利用于包含代码保护区的Nor Flash芯片的程序更新方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119806604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510303619.8，技术领域涉及：G06F8/65；该发明授权用于包含代码保护区的Nor Flash芯片的程序更新方法和系统是由许江;李炜设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于包含代码保护区的Nor Flash芯片的程序更新方法和系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于包含代码保护区的NorFlash芯片的程序更新方法，包括在接收到程序更新指令时，获取程序更新文件、本次更新的擦除配置信息、NorFlash芯片的存储信息和第一存储区的配置信息；根据擦除配置信息、NorFlash芯片的存储信息和第一存储区的配置信息，设置第二存储区的擦除方式并根据擦除方式在第二存储区执行擦除操作；以及在擦除操作完成后，按行将程序更新文件写入第二存储区的被擦除行。本发明根据擦除配置信息、NorFlash芯片的存储信息和第一存储区的配置信息，自动选择逐行擦除或者逐块擦除的方式进行擦除，不仅优化了第二存储区的使用效率、程序的更新时间和次数，也减少对第一存储区的程序的干扰，降低了第一存储区的程序的风险。

本发明授权用于包含代码保护区的Nor Flash芯片的程序更新方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于包含代码保护区的NorFlash芯片的程序更新方法，所述NorFlash芯片包括第一存储区和第二存储区，所述第一存储区用于存储需要保护的代码，其特征在于，包括以下步骤： 在接收到程序更新指令时，获取程序更新文件、本次更新的擦除配置信息、所述NorFlash芯片的存储信息和所述第一存储区的配置信息，所述配置信息包括所述第一存储区的起始存储地址和结束存储地址； 根据所述擦除配置信息、所述NorFlash芯片的存储信息和所述第一存储区的配置信息，设置所述第二存储区的擦除方式并根据所述擦除方式在所述第二存储区执行擦除操作；以及 在所述擦除操作完成后，按行将所述程序更新文件写入所述第二存储区的被擦除行； 根据所述擦除配置信息、所述NorFlash芯片的存储信息和所述第一存储区的配置信息，设置所述第二存储区的擦除方式并根据所述擦除方式在所述第二存储区执行擦除操作包括： 根据所述NorFlash芯片的存储信息和所述第一存储区的配置信息，判断所述第一存储区和所述第二存储区的位置关系，其中，在所述第一存储区的起始存储地址为0时，判定所述第一存储区位于所述第二存储区上方，在所述第一存储区的结束存储地址为所述NorFlash芯片的最大存储地址时，判定所述第二存储区位于所述第一存储区上方，否则，判定所述第一存储区位于所述第二存储区中间； 根据所述擦除配置信息将所述NorFlash芯片分为N个擦除块； 在所述第一存储区位于所述第二存储区上方时：在所述N个擦除块中查找所述第一存储区的结束存储地址所属的擦除块；在所述第二存储区开始执行擦除操作，其中，对所述第一存储区的结束存储地址所属的擦除块中属于所述第二存储区的存储行执行逐行擦除操作，对所述第二存储区的剩余擦除块执行逐块擦除操作； 在所述第一存储区位于所述第二存储区下方时：在所述N个擦除块中查找所述第一存储区的开始存储地址所属的擦除块；在所述第二存储区开始执行逐块擦除操作，在执行到所述第一存储区的开始存储地址所属的擦除块时，对所述第一存储区的开始存储地址所属的擦除块中属于所述第二存储区的存储行执行逐行擦除操作； 在所述第一存储区位于所述第二存储区中间时：在所述N个擦除块中查找所述第一存储区的开始存储地址所属的擦除块和所述第一存储区的结束存储地址所属的擦除块；在所述第二存储区开始执行逐块擦除操作，其中，在执行到所述第一存储区的开始存储地址所属的擦除块时，对所述第一存储区的开始存储地址所属的擦除块中属于所述第二存储区的存储行执行逐行擦除操作，在执行到所述第一存储区的结束存储地址所属的擦除块时，对所述第一存储区的结束存储地址所属的擦除块中属于所述第二存储区的存储行执行逐行擦除操作，对所述第二存储区的剩余擦除块执行逐块擦除操作。

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