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龙图腾网恭喜合肥灿芯科技有限公司申请的专利一种低压域与超压域兼容的BGR电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510275810.6，技术领域涉及：G05F1/569；该发明授权一种低压域与超压域兼容的BGR电路是由宋嘉勋;岳庆华;庄志青设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压域与超压域兼容的BGR电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压域与超压域兼容的BGR电路，属于微电子技术领域；本发明中包括分压电阻R1、R2和R3以及稳压电容C1‑C4，分压电阻R1、R2和R3用于给N1、N5、N6、P5、P6、P7和P11提供偏置电压，其中N1、N5和N6为深N阱MOS管，P1、N1、N2、N3、N4和R4构成启动电路；本发明在电源电压为2.3V‑5.5V时，用3.3V器件实现了低功耗BGR的设计，实现了低电压器件应用于超压的工作条件下不会被击穿和寿命衰减，在低电压环境下设备性能不会下降的功能。

本发明授权一种低压域与超压域兼容的BGR电路在权利要求书中公布了：1.一种低压域与超压域兼容的BGR电路，其特征在于，包括分压电阻R1、R2和R3以及稳压电容C1-C4，分压电阻R1、R2和R3用于给N1、N5、N6、P5、P6、P7和P11提供偏置电压，其中，N1、N5和N6为深N阱MOS管，P1、N1、N2、N3、N4和R4构成启动电路； R1的正极接电源电压AVDD，R1的负极与R2的正极、N1、N5、N6的栅极和C1的正极相连；R2的负极与R3的正极、C2的正极、P5、P6、P7和P11的栅极相连；R3的负极接地GND；C3的正极与电源AVDD相连；C1、C2、C4的负极均与地GND相连； P1的栅极、漏极与N1的漏极、深N阱相连，源极与电源电压AVDD相连；N1的源极、衬底与N2的漏极相连；N2的栅极与N3的漏极、N4的栅极、R4的负极相连，源极与R4的正极相连；N3的栅极与R6的负极、R7的正极相连，源极与地GND相连；N4的源极与地GND相连，漏极与N10的漏极、N6的源极、衬底相连；P2栅极与P3栅极、P4栅极、P9栅极、P10漏极、C3的负极以及N6的漏极、深N阱相连，源极与电源电压AVDD相连，漏极与P5的源极相连； P3源极与电源电压AVDD相连，漏极与P6的源极相连；P4源极与电源电压AVDD相连，漏极与P7的源极相连；P5漏极与三极管Q1的发射极、P12的栅极相连；P6漏极与R5的正极、P13的栅极相连；P7漏极与电容C4的正极、R6的正极相连；R5的负极与三极管Q2的发射极相连；R7的负极与三极管Q3的发射极相连；Q1的集电极、基极，Q2的集电极、基极以及Q3的集电极、基极均与地GND相连；P8的栅极、漏极与P10的栅极、N5的漏极、深N阱相连，源极与电源AVDD相连；P9的源极与电源AVDD相连，漏极与P11的源极相连；P10的源极与电源AVDD相连；P11漏极与P12的源极和衬底、P13的源极和衬底相连；P12的漏极与N8的漏极与栅极、N7的栅极相连；P13的漏极与N9的漏极与栅极、N10的栅极相连；N5的源极、衬底与N7的漏极相连；N6的源极、衬底与N10的漏极相连；N7、N8、N9、N10的源极均与地GND相连； N2的栅极与N3的漏极、N4的栅极、R4的负极相连，N2的源极与R4的正极相连，使得在BGR没有正常工作时，N4的栅极电压迅速被拉高； N4的源极与N10的源极与地GND相连，N4的漏极与N10的漏极、N6的源极以及衬底相连，用于将BGR拉出死区； 其中，P1-P13为PMOS管，N1-N10为NMOS管，R4-R7为电阻。

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