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龙图腾网恭喜成都芯翼科技有限公司申请的专利一种可优化电源抑制LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119759163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510260027.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种可优化电源抑制LDO电路是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可优化电源抑制LDO电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可优化电源抑制LDO电路，属于高电源抑制LDO电路技术领域。主要包括功率管衬底控制模块、误差放大器模块和功率管模块和反馈电阻模块，功率管模块输出稳定后的电压Vout，反馈电阻模块对电压Vout分压检测后为误差放大器提供反馈信号，功率管模块的衬底电位与功率管衬底控制模块电性连接，功率管衬底控制模块对功率管模块的衬底电位控制而改变功率管模块的导通阻抗，功率管衬底控制模块通过不同电容值的电容，在不同高频段对功率管偏置电压进行控制，有针对性地改善高频段PSR性能，解决LDO在高频段PSR变差的问题，满足自动驾驶系统、医疗电子设备等前沿领域对电源高稳定性要求。

本发明授权一种可优化电源抑制LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种可优化电源抑制LDO电路，其特征在于：包括功率管衬底控制模块、误差放大器模块和功率管模块和反馈电阻模块，所述功率管模块输出稳定后的电压Vout，所述反馈电阻模块对电压Vout分压检测后为误差放大器提供反馈信号，且与误差放大器形成反馈回路，所述误差放大器模块对反馈电阻模块提供的反馈信号与基准信号Vref比较后输出控制信号至功率管模块中，改变所述功率管模块的栅极电压，调节导通程度，而调整电压Vout； 其中，所述功率管模块的衬底电位与功率管衬底控制模块电性连接，所述功率管衬底控制模块对功率管模块的衬底电位控制而改变功率管模块的导通阻抗； 所述功率管模块包括PMOS管M1、PMOS管M2和PMOS管M3，所述PMOS管M1、PMOS管M2和PMOS管M3的栅极分别与误差放大器模块的输出控制端电性连接，所述PMOS管M1、PMOS管M2和PMOS管M3的漏极分别与反馈电阻模块一端电性连接，且PMOS管M1、PMOS管M2和PMOS管M3的漏极为输出电压Vout，所述PMOS管M1、PMOS管M2和PMOS管M3的源极分别与输入电压Vin电性连接，所述PMOS管M1的衬底电位B1、PMOS管M2的衬底电位B2和PMOS管M3的衬底电位B3分别与功率管衬底控制模块的输出端电性连接，所述功率管衬底控制模块的输入端与输入电压Vin电性连接； 所述功率管衬底控制模块包括功率管衬底控制电路BC1、功率管衬底控制电路BC2和功率管衬底控制电路BC3，所述功率管衬底控制电路BC1、功率管衬底控制电路BC2和功率管衬底控制电路BC3的输入端均与输入电压Vin电性连接，所述功率管衬底控制电路BC1、功率管衬底控制电路BC2和功率管衬底控制电路BC3的输出端分别与PMOS管M1的衬底电位B1、PMOS管M2的衬底电位B2和PMOS管M3的衬底电位B3连接； 所述功率管衬底控制模块还包括分压电路，所述分压电路包括电阻R41、电阻R42、电阻R43和电阻R44，所述电阻R41、电阻R42、电阻R43和电阻R44串联，串联后的电阻R44的接入端与输入电压Vin连接，串联后的电阻R41为接地设置，所述电阻R41、电阻R42、电阻R43和电阻R44的两两之间分别产生偏置电压Vbias1、偏置电压Vbias2和偏置电压Vbias3，所述偏置电压Vbias1、偏置电压Vbias2和偏置电压Vbias3分别为功率管衬底控制电路BC1、功率管衬底控制电路BC2和功率管衬底控制电路BC3提供参考电位； 所述功率管衬底控制电路BC1、功率管衬底控制电路BC2和功率管衬底控制电路BC3为相同的控制电路，所述功率管衬底控制电路BC1包括放大器opa1，所述放大器opa1的负输入端接入偏置电压Vbias1，所述放大器opa1的正输入端与电阻R11一端连接，所述电阻R11的另一端与输入电压Vin连接，所述电阻R11的两端并联有电容C1，所述放大器opa1的正输入端和输出端并联有电阻R12，所述电阻R12的一端与电容C1连接，所述放大器opa1的输出端串联电阻R13后与PMOS管M1的衬底电位B1连接； 所述功率管衬底控制电路BC2和所述功率管衬底控制电路BC3与所述功率管衬底控制电路BC1电路设计相同，所述电容C1、电容C2、电容C3的电容大小不同，以使在不同的高频段实现对所述功率管模块的偏置电压进行控制。

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