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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510262514.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构是由张伟;运广涛;赫文振;罗钦贤;苏圣哲设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构，所述方法包括：第一沉积处理，基于设置的第一沉积厚度，采用HARP工艺在第一沟槽中沉积一层第一介质层；第一等离子处理，基于设置的第一等离子体处理功率和第一等离子体处理时间，采用包含惰性气体的等离子体对第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中第一沉积厚度不超过第一等离子体处理的处理深度；基于设置的第一循环次数，多次循环执行第一沉积处理和第一等离子体处理，直至将第一沟槽填满，以在第一沟槽中形成压应力介质层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可根据需要在沟槽中选择性沉积不同应力的介质层，特别是压应力介质层。

本发明授权一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构在权利要求书中公布了：1.一种在沟槽中沉积应力介质层的方法，其特征在于，包括： 第一沉积处理，基于设置的第一沉积厚度，采用HARP工艺在第一沟槽中沉积一层第一介质层； 第一等离子体处理，基于设置的第一等离子体处理功率和第一等离子体处理时间，采用包含惰性气体的等离子体对所述第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中所述第一介质层的所述第一沉积厚度不超过所述第一等离子体处理在所述第一等离子体处理功率和第一等离子体处理时间下的处理深度； 基于设置的第一循环次数，多次循环执行所述第一沉积处理和所述第一等离子体处理，直至将所述第一沟槽填满以在所述第一沟槽中形成压应力介质层；所述方法满足以下条件： 所述第一沉积厚度为50Å~100Å； 所述第一等离子体处理功率为300W~500W； 所述第一等离子体处理时间为10s~15s； 所述惰性气体为Ar或He； 所述第一循环次数为25次~35次； 所述第一沉积处理的腔室压力为500torr~600torr；以及 所述第一等离子体处理的腔室压力为20torr~50torr。

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