恭喜苏州实验室谢良帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州实验室申请的专利一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510162350.6，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用是由谢良帅;刘粉红;李晓梅;楚旭;邵纤童;黄增立设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用，所述紫外吸收增强型半导体薄膜包括衬底和依次层叠设置于所述衬底一侧表面的铝中间层和氮化铝介质层。本发明所述紫外吸收增强型半导体薄膜可以利用界面相移和吸收相移共同作用，使几纳米厚的紫外吸收增强型半导体薄膜上表面反射趋于零从而增加半导体层的光吸收。在保证紫外吸收增强型半导体薄膜的厚度较小的情况下，增强光吸收强度，从而提高光电探测器的响应速度。
本发明授权一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种紫外吸收增强型半导体薄膜，其特征在于，所述紫外吸收增强型半导体薄膜包括衬底和依次层叠设置于所述衬底一侧表面的铝中间层和氮化铝介质层； 所述铝中间层的厚度为100nm~150nm，所述氮化铝介质层的厚度为3nm~10nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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