恭喜湖南汇思光电科技有限公司杨骏捷获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南汇思光电科技有限公司申请的专利制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119627624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510152790.3,技术领域涉及:H01S5/34;该发明授权制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法是由杨骏捷;付慧清;曾冬妮;潘淑洁设计研发完成,并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种制作砷化铟磷化铟量子点激光器有源区的方法,选择一磷化铟衬底;在该衬底上外延生长一层铟铝砷;接着生长一层铟铝镓砷;再外延生长多周期的砷化铟量子点有源层,包括生长砷化铟量子点,在砷化铟量子点上生长与磷化铟晶格匹配的铟铝镓砷层,在铟铝镓砷层上生长应力调节层,在应力调节层上生长与磷化铟晶格匹配的分隔层;或者:生长砷化铟量子点,在砷化铟量子点上生长一层或者两层生长应力调节层,在应力调节层上生长分隔层;在量子点有源层上外延生长铟铝镓砷;接着外延生长铟铝砷;再外延生长一层磷化铟作为光限制层;最后外延生长铟镓砷作为接触层,完成量子点激光器有源区的制备。在调节波长的同时保证量子点的光学性质。
本发明授权制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法在权利要求书中公布了:1.制作砷化铟磷化铟量子点激光器有源区的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤: S100:选择一磷化铟衬底;S100具体为: 选择一磷化铟衬底,该衬底为n+型磷化铟单晶片,掺杂浓度为1×1018cm-3-2×1019cm-3,晶向为100,进行480℃-530℃高温去氧化层1到3分钟,高温去氧化过程可由富磷或富砷环境保护; S200:在该磷化铟衬底上外延生长一层与磷化铟晶格匹配的铟铝砷; S300:在铟铝砷层上生长一层与磷化铟晶格匹配的铟铝镓砷; S400:在铟铝镓砷层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层;砷化铟量子点有源层包括生长砷化铟量子点,在砷化铟量子点上生长与磷化铟晶格匹配的铟铝镓砷层,在铟铝镓砷层上生长应力调节层,在应力调节层上生长与磷化铟晶格匹配的分隔层;或者:生长砷化铟量子点,在砷化铟量子点上生长一层或者两层生长应力调节层,在应力调节层上生长与磷化铟晶格匹配的分隔层; S500:在量子点有源层上外延生长铟铝镓砷; S600:在铟铝镓砷层上外延生长铟铝砷; S700:在铟铝砷层上外延生长一层磷化铟作为光限制层; S800:在磷化铟上外延生长铟镓砷作为接触层,完成量子点激光器有源区的制备。
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