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龙图腾网恭喜湖南汇思光电科技有限公司申请的专利制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510152790.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法是由杨骏捷;付慧清;曾冬妮;潘淑洁设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制作砷化铟磷化铟量子点激光器有源区的方法，选择一磷化铟衬底；在该衬底上外延生长一层铟铝砷；接着生长一层铟铝镓砷；再外延生长多周期的砷化铟量子点有源层，包括生长砷化铟量子点，在砷化铟量子点上生长与磷化铟晶格匹配的铟铝镓砷层，在铟铝镓砷层上生长应力调节层，在应力调节层上生长与磷化铟晶格匹配的分隔层；或者：生长砷化铟量子点，在砷化铟量子点上生长一层或者两层生长应力调节层，在应力调节层上生长分隔层；在量子点有源层上外延生长铟铝镓砷；接着外延生长铟铝砷；再外延生长一层磷化铟作为光限制层；最后外延生长铟镓砷作为接触层，完成量子点激光器有源区的制备。在调节波长的同时保证量子点的光学性质。

本发明授权制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法在权利要求书中公布了：1.制作砷化铟磷化铟量子点激光器有源区的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S100：选择一磷化铟衬底；S100具体为： 选择一磷化铟衬底，该衬底为n+型磷化铟单晶片，掺杂浓度为1×1018cm-3-2×1019cm-3，晶向为100，进行480℃-530℃高温去氧化层1到3分钟，高温去氧化过程可由富磷或富砷环境保护； S200：在该磷化铟衬底上外延生长一层与磷化铟晶格匹配的铟铝砷； S300：在铟铝砷层上生长一层与磷化铟晶格匹配的铟铝镓砷； S400：在铟铝镓砷层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；砷化铟量子点有源层包括生长砷化铟量子点，在砷化铟量子点上生长与磷化铟晶格匹配的铟铝镓砷层，在铟铝镓砷层上生长应力调节层，在应力调节层上生长与磷化铟晶格匹配的分隔层；或者：生长砷化铟量子点，在砷化铟量子点上生长一层或者两层生长应力调节层，在应力调节层上生长与磷化铟晶格匹配的分隔层； S500：在量子点有源层上外延生长铟铝镓砷； S600：在铟铝镓砷层上外延生长铟铝砷； S700：在铟铝砷层上外延生长一层磷化铟作为光限制层； S800：在磷化铟上外延生长铟镓砷作为接触层，完成量子点激光器有源区的制备。

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