南华大学王春辉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉南华大学申请的专利过渡金属及贫金属硫-硒-碲的复合材料及其制备与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118867156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410753534.5,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权过渡金属及贫金属硫-硒-碲的复合材料及其制备与应用是由王春辉;徐瑞杰;先珂懿;王延飞;林英武设计研发完成,并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本过渡金属及贫金属硫-硒-碲的复合材料及其制备与应用在说明书摘要公布了:本申请公开了过渡金属及贫金属硫‑硒‑碲的复合材料及其制备与应用,属于钠离子电池负极材料领域,其化学式为[1‑wAnSmwApSeq]BxTey@rGO,AnSm相与ApSeq形成异质结结构,AnSm与ApSeq的混合相再被BxTey相包覆并相互形成异质结结构,并形成由无定形碳包覆的颗粒,所述颗粒分散在还原氧化石墨烯表面。本申请不仅形成了三层异质结结构,提高了离子扩散动力学,且引入碲化物进一步提高了材料的反应动力学。因此,采用该复合物制作的钠离子电池负极材料具有优异的倍率性能和循环稳定性能。
本发明授权过渡金属及贫金属硫-硒-碲的复合材料及其制备与应用在权利要求书中公布了:1.一种过渡金属及贫金属硫-硒-碲的复合材料的制备方法,其特征在于:其化学式为[1-wAnSmwApSeq]BxTey@rGO,AnSm相与ApSeq形成异质结结构,AnSm与ApSeq的混合相再被BxTey相包覆并相互形成异质结结构,并形成由无定形碳包覆的颗粒,所述颗粒分散在还原氧化石墨烯表面; A为Zn、Co、Sn、Fe、Bi、Mo、V、Mn以及Sb中的一种或多种,B为Zn、Co、Sn、Fe、Bi、Mo、V、Mn以及Sb中的一种或多种,W的取值范围为0w1; 包括以下步骤: S1:将配位剂Ⅰ与A的金属盐溶液反应,得到金属有机框架I; S2:将步骤S1得到的金属有机框架I与硫源溶液、硒源溶液进行溶剂热反应,生成过渡金属及贫金属硫硒复合物; S3:将步骤S2得到的过渡金属及贫金属硫硒复合物与配位剂I、B的金属盐溶液反应,得到金属有机框架Ⅱ包覆的金属硫硒复合物; S4:将步骤S3得到的金属有机框架Ⅱ包覆的金属硫硒复合物与碲粉在惰性气氛下高温煅烧,得到过渡金属及贫金属硒-硫-碲复合物; S5:将步骤S4的过渡金属及贫金属硒-硫-碲复合物与氧化石墨烯稀释液在惰性气氛中高温煅烧,得到氧化石墨烯包覆的过渡金属及贫金属硒-硫-碲复合物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南华大学,其通讯地址为:421001 湖南省衡阳市蒸湘区常胜西路28号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。