上海积塔半导体有限公司丁甲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利器件制备方法、存储器件和半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118742047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410733571.X，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权器件制备方法、存储器件和半导体装置是由丁甲;郭秋生;张继伟;胡林辉;周华;王鲁钦设计研发完成，并于2024-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件制备方法、存储器件和半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种器件制备方法、存储器件和半导体装置。其中，器件制备方法包括：提供基板；以及在基板上由下至上依次形成下电极材料层、存储材料层、上电极材料层和隔离材料部，以产生第一沟槽组件和第二沟槽组件，其中，第一沟槽组件被配置用于形成存储器件，第二沟槽组件被配置用于形成隔离部件，且第一沟槽组件和第二沟槽组件彼此电隔离。
本发明授权器件制备方法、存储器件和半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种器件制备方法，其特征在于，所述器件制备方法包括： 提供基板，其中，所述基板包括有源区，在所述有源区中形成有第一沟槽和第二沟槽；以及 在所述基板上由下至上依次形成下电极材料层、存储材料层、上电极材料层和隔离材料部，以产生第一沟槽组件和第二沟槽组件； 其中，所述第一沟槽组件由下电极材料层、存储材料层、上电极材料层和隔离材料部的位于所述第一沟槽中的部分形成，且所述第一沟槽组件被配置用于形成存储器件， 所述第二沟槽组件由下电极材料层、存储材料层、上电极材料层和隔离材料部的位于所述第二沟槽中的部分形成，且所述第二沟槽组件被配置用于形成隔离部件， 所述第一沟槽组件和所述第二沟槽组件彼此电隔离，且不设置导电连接件将所述第二沟槽组件与其他的电子器件或外部电路相连。
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