帝尔激光科技(无锡)有限公司陆红艳获国家专利权
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龙图腾网获悉帝尔激光科技(无锡)有限公司申请的专利一种N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410580583.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池是由陆红艳;罗西佳;张强;朱凡设计研发完成，并于2024-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：提供一种基于激光诱导烧结技术的N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池结构，步骤包括在N型硅片正面制备掩膜层；采用激光将金属接触区对应的掩膜层去除；对硅片正面进行硼扩散掺杂，无掩膜区域形成重掺杂区，表面浓度不小于7E+18cm‑3；制备背面钝化接触结构；制备正背面减反层；制备电极；激光诱导烧结。本发明的N型TOPCon电池的制备方法无需激光掺杂仅需激光开膜，激光能量更低，表面损伤更小，减少表面复合。通过氧化掩膜的引入实现了真正重掺接触区域与轻掺钝化区域独立调节，制备选择性发射极得到理想PN结型，匹配LIF方案有更低的金属复合和接触电阻率，既可以提升开路电压，也能够平衡浅扩区因为高方阻带来的FF损失。
本发明授权一种N型TOPCon电池的制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤， 在N型硅片正面制备掩膜层； 采用激光将金属接触区对应的掩膜层去除，为无掩膜区域，未去除掩膜区域为掩膜保护区域； 对硅片正面进行硼掺杂，无掩膜区域形成重掺杂区，掩膜保护区域形成轻掺杂区或非掺杂区，其中，重掺杂区表面浓度不小于7E+18cm-3，重掺区峰值掺杂浓度大于2E+19cm-3，重掺杂区结深为0.2～0.8μm，重掺杂区方阻为50～200ohmsq；轻掺杂区结深为0.1～0.8μm，轻掺杂区方阻为200～1000ohmsq； 制备背面钝化接触结构； 去除金属接触区以外的掩膜层； 制备正背面减反层； 制备电极； 激光诱导烧结。
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