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龙图腾网获悉环晟光伏(江苏)有限公司申请的专利一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410526630.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法是由伏进文;杜文轩;季勇健;何秋霞设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法，涉及太阳能电池的技术领域。所述降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法包括以下步骤：在N型晶体硅基体的背面形成第一隧穿氧化层；在所述第一隧穿氧化层上沉积本征多晶硅层和第二隧穿氧化层；在所述第二隧穿氧化层上沉积磷掺杂多晶硅层和第三隧穿氧化层；在所述第三隧穿氧化层上形成透明导电薄膜。本发明所述制备方法能够明显减少寄生吸收，并充分增加光利用率，从而进一步地提升电池片效率。

本发明授权一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低背面寄生吸收的TOPCon电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 在N型晶体硅基体的背面形成第一隧穿氧化层； 其中，所述第一隧穿氧化层的厚度为1～1.6nm； 在所述第一隧穿氧化层上沉积本征多晶硅层和第二隧穿氧化层； 其中，所述本征多晶硅层的厚度为5～20nm；所述第二隧穿氧化层的厚度为0.8～1.5nm； 在所述第二隧穿氧化层上沉积磷掺杂多晶硅层和第三隧穿氧化层； 其中，所述磷掺杂多晶硅层的厚度为20～50nm；所述第三隧穿氧化层的厚度为0.8～1.5nm；在所述磷掺杂多晶硅层中，磷的掺杂浓度为1×1019～1×1021cm-3； 在所述第三隧穿氧化层上形成透明导电薄膜； 其中，所述透明导电薄膜的材质选自氧化铟锡、氧化铝锌或氧化铟锌中的任意一种或至少两种的组合；所述透明导电薄膜的厚度为15～70nm； 所述透明导电薄膜形成后还依次包括表面钝化处理和金属化处理；所述表面钝化处理具体包括以下步骤：在所述透明导电薄膜上制备氮化硅层；在所述硅基体的正面上依次制备氧化铝层和氮化硅层；同时进行固化修复处理；所述固化修复处理的温度为350～500℃。

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