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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410514474.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由王尧设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；在所述第一面形成第一掺杂层及在所述第二面形成第二掺杂层；去除所述第一掺杂层，并在已去除所述第一掺杂层的第一面形成第三掺杂层，所述第三掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述第三掺杂层进行图形化刻蚀以及表面织构化处理，以形成金属接触区和非金属接触区。本申请方案采用后制绒制备太阳能电池：先对半导体衬底进行掺杂形成双面钝化接触结构，后根据结构需求进行开槽、制绒等工艺，可以有效提高湿法工艺与前后道工艺的匹配性和电池制备工艺的稳定性、缓解复合效应及半导体衬底损伤、减少反射损失、提高光电转换效率。

本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面； 在所述第一面形成第一掺杂层及在所述第二面形成第二掺杂层； 去除所述第一掺杂层，并在已去除所述第一掺杂层的第一面形成第三掺杂层，所述第三掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂类型相反； 对所述第三掺杂层进行图形化刻蚀以及表面织构化处理，以形成金属接触区和非金属接触区； 对所述第三掺杂层进行图形化刻蚀以及表面织构化处理，包括： 根据预设的金属栅线结构，在所述第三掺杂层中确定出第一区域和第二区域； 对于所述第二区域：去除表面的硅氧玻璃，并通过化学药液进行刻蚀，以去除表面多晶硅层；在已去除表面多晶硅层的情形下，对所述第二区域进行表面织构化处理，以形成所述非金属接触区； 对所述第二区域进行表面织构化处理，包括： 在60-90℃，通过化学药液和预设的辅助剂对所述第二区域进行表面织构化处理350-600s，以形成具有金字塔和或倒金字塔结构的非金属接触区； 其中，所述化学药液为氢氧化钾药液、氢氧化钠药液、四甲基氢氧化铵药液中的任一种，所述化学药液的碱浓度为0.2%-5%，所述辅助剂的浓度为0.2%-5%；金字塔塔基尺寸为0.5-6μm，金字塔高度为0.3-5μm，所述非金属接触区在可见光范围内反射率为7-15%； 对于所述第一区域：印刷保护性浆料；在已去除所述第二区域表面硅氧玻璃的情况下，清洗所述保护性浆料；在已清洗掉所述保护性浆料的情况下，通过化学药液去除表面多晶硅层，以形成所述金属接触区。

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