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龙图腾网获悉捷捷半导体有限公司申请的专利静电保护器件及终端设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222981902U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420675080.X，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型静电保护器件及终端设备是由庄翔;张超;鲍灵凤设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护器件及终端设备在说明书摘要公布了：一种静电保护器件及终端设备，涉及半导体器件技术领域。该静电保护器件包括衬底、多个埋层、外延层、位于外延层内的多个第一掺杂区和多个第二掺杂区、位于外延层内的短路掺杂区、用于隔离出多个功能区的多个沟槽隔离区、第一电极、第二电极和第三电极；多个功能区包括第一功能区、第二功能区和第三功能区；第一电极位于外延层上且与短路掺杂区连接，第二电极位于外延层上，且第二电极连接第二功能区的第二掺杂区、第三功能区的第一掺杂区以及第一掺杂区靠近第二掺杂区的一个第一掺杂区，第三电极位于衬底背离外延层的一侧。该静电保护器件通过短路设计能够实现回扫特性，降低钳位电压，以避免后端IC受到静电或者浪涌电流影响而失效。

本实用新型静电保护器件及终端设备在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件，其特征在于，包括衬底、位于部分所述衬底上的多个埋层、位于所述埋层和露出的所述衬底上的外延层、位于所述外延层内的多个第一掺杂区和多个第二掺杂区、位于所述外延层内的短路掺杂区、用于在所述外延层上隔离出多个功能区的多个沟槽隔离区、第一电极、第二电极和第三电极； 所述多个功能区包括第一功能区、第二功能区和第三功能区，所述第二功能区位于所述第一功能区和所述第三功能区之间；所述第一功能区内设有两所述第一掺杂区和位于两所述第一掺杂区之间的所述短路掺杂区，所述第二功能区内设有所述第二掺杂区，所述第三功能区内设有所述第一掺杂区；所述第一电极位于所述外延层上且与所述短路掺杂区连接，所述第二电极位于所述外延层上，且所述第二电极连接所述第二功能区的第二掺杂区、所述第三功能区的第一掺杂区以及第一掺杂区靠近所述第二掺杂区的一个所述第一掺杂区，所述第三电极位于所述衬底背离所述外延层的一侧；所述衬底、所述第一掺杂区采用第一掺杂类型，所述埋层、所述外延层和所述第二掺杂区采用第二掺杂类型。

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