北京大学吴恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117995753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410130550.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备是由吴恒;卢浩然;彭莞越;王润声;黄如设计研发完成，并于2024-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。上述方法包括：在衬底上依次堆叠设置第一有源结构、隔离有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；在第一晶体管朝向第二有源结构的第一表面上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料层；在第二有源结构和第一半导体材料层上沉积第二绝缘材料，以形成第二半导体材料层；去除第二半导体材料层中覆盖第一半导体材料层的一部分，以暴露第一半导体材料层；去除第一半导体材料层，以暴露隔离有源结构；对隔离有源结构进行氧化处理，以形成隔离介质结构；去除第二半导体材料层中覆盖第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。
本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上依次堆叠设置第一有源结构、隔离有源结构和第二有源结构； 基于所述第一有源结构，形成第一晶体管； 在所述第一晶体管朝向所述第二有源结构的第一表面上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料层；所述第一半导体材料层环绕所述隔离有源结构； 在所述第二有源结构和所述第一半导体材料层上沉积第二绝缘材料，以形成第二半导体材料层；所述第二半导体材料层包裹所述第二有源结构； 去除所述第二半导体材料层中覆盖所述第一半导体材料层的一部分，以暴露所述第一半导体材料层； 去除所述第一半导体材料层，以暴露所述隔离有源结构； 对所述隔离有源结构进行氧化处理，以形成隔离介质结构； 去除第二半导体材料层中覆盖所述第二有源结构的一部分，以暴露所述第二有源结构； 基于所述第二有源结构，形成第二晶体管。
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