广州增芯科技有限公司陈勇彬获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利半导体器件的制备方法、器件与电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117423622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311418809.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法、器件与电子设备是由陈勇彬设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法、器件与电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅极结构和源漏区，源漏区形成有西格玛沟槽；对西格玛沟槽的表面进行刻蚀，以去除表面形成的自然氧化层；将去除自然氧化层后的衬底在保持真空的条件下移入外延腔室，外延腔室通入有H2；在H2的环境下对西格玛沟槽的侧壁进行烘烤处理，以对西格玛沟槽的侧壁进行损伤修复；并通入第一气体，以在西格玛沟槽的侧壁上形成锗硅薄膜过渡层，其中，第一气体包括GeH4气体；在西格玛沟槽内形成锗硅种子层与锗硅主体层；其中，锗硅薄膜过渡层中的锗的含量小于锗硅种子层中的锗的含量。该技术方案提高了锗硅种子层的生长质量。
本发明授权半导体器件的制备方法、器件与电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，其中，所述衬底上形成有栅极结构和源漏区，并在所述源漏区形成有西格玛沟槽； 对所述西格玛沟槽的表面进行刻蚀，以去除在所述西格玛沟槽的表面形成的自然氧化层； 将去除自然氧化层后的衬底在保持真空的条件下移入外延腔室，所述外延腔室通入有H2； 在H2的环境下对所述西格玛沟槽的侧壁进行烘烤处理，以对所述西格玛沟槽的侧壁进行损伤修复；并通入第一气体，以在所述西格玛沟槽的侧壁上形成锗硅薄膜过渡层，其中，所述第一气体包括GeH4气体； 在所述西格玛沟槽内形成锗硅种子层与锗硅主体层；其中，所述锗硅种子层形成于所述锗硅薄膜过渡层的表面，所述锗硅薄膜过渡层为平整有序的单晶结构，所述锗硅主体层形成于所述锗硅种子层的表面； 其中，所述锗硅薄膜过渡层的厚度小于所述锗硅种子层的厚度，且所述锗硅薄膜过渡层中的锗的含量小于所述锗硅种子层中的锗的含量。
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