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龙图腾网获悉聚合电光(杭州)科技有限公司申请的专利一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117185810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311157474.2，技术领域涉及：C04B35/491；该发明授权一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法是由韩瑜设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法，涉及功能材料技术领域。本发明制备过程包括以下步骤：将铅源与溶剂混合，加热反应后冷却，之后加入锆源和钛源进行反应，得到PZT前驱体溶液；以镧系物质为靶材，利用磁控溅射法制备种子层；之后将PZT前驱体溶液涂覆于种子层表面，经热解、退火处理后得到锆钛酸铅晶体薄膜。本发明通过溶胶‑凝胶法制备出稳定的PZT前驱体溶液，并利用种子层制备出光滑无裂痕、具有100择优取向的高质量PZT晶体薄膜，具有制备工艺简单、操作方便、原料易得、制备成本较低的特点。

本发明授权一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： PZT前驱体溶液的配制： 将铅源与溶剂混合，加热反应后冷却，之后依次加入锆源和钛源进行反应，得到所述PZT前驱体溶液； 种子层的制备：以镧系物质为靶材，利用磁控溅射工艺制备种子层； 热解和退火处理：将所述PZT前驱体溶液涂覆于所述种子层表面，经热解、退火处理后得到所述锆钛酸铅晶体薄膜； 所述加热反应的温度为100～150℃，时间为0.5～3.0h；所述冷却的温度为25～90℃；所述反应的温度为25～90℃，时间为0.5～3.0h； 所述铅源包括醋酸铅、三水合醋酸铅或卤化铅；所述锆源包括醋酸锆、正丙醇锆、异丙醇锆、卤化锆或硫酸锆；所述钛源包括正丙醇钛、异丙醇钛、钛酸四异丙酯或四甲醇钛； 所述溶剂包括乙酸或乙二醇单甲醚； 所述铅源、锆源和钛源中铅、锆、钛元素的摩尔比为1.0～1.3:x:1-x；其中，x的取值为0.3～0.7； 所述镧系物质为氧化镧或碳酸镧； 所述磁控溅射工艺的溅射气压为0.5～3.5Pa，溅射气氛为Ar和O2的混合气体，溅射温度为25℃，时间为10min；所述热解的温度为350-500℃，热解时间为5-30min；所述退火的温度为550-800℃，时间为5min-5h，退火氛围为O2或空气。

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