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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116449586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310564909.9，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法是由李志华;尹旺旺设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法；调制器包括：衬底层、形成于衬底层的顶部的掺杂层、与掺杂层顶部中心连接的缓冲层、形成于缓冲层的顶部的调制层及形成于掺杂层的顶部自由区域及内侧面、缓冲层的侧面、调制层的顶部和侧面的顶部介质层；通过增加缓冲层，减少了调制层的应变，使调制器工作波长在1540nm～1560nm，改善了现有技术中纯锗电吸收调制器工作波长无法匹配C波段的缺陷。

本发明授权一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法在权利要求书中公布了：1.一种具有锗调制层的电吸收调制器，其特征在于，包括： 衬底层，包括背衬底及设置于所述背衬底上的底部氧化介制层； 掺杂层，形成于所述底部氧化介制层的顶部，包括：空穴强掺杂层、空穴弱掺杂层、电子弱掺杂层、电子强掺杂层；空穴弱掺杂层、电子弱掺杂层在所述底部氧化介制层的顶部的中部区域凸出并连接形成PN结，并作为底部波导层；空穴强掺杂层、电子强掺杂层分设于所述底部氧化介制层的顶部两端，空穴强掺杂层与空穴弱掺杂层连接，电子弱掺杂层与电子强掺杂层连接； 缓冲层，形成于PN结顶部； 调制层，形成于缓冲层的顶部；包括：锗空穴掺杂层、锗波导层、锗电子掺杂层；其中，锗空穴掺杂层、锗电子掺杂层分设于缓冲层顶部的两端，通过锗波导层连接； 顶部氧化介质层，形成于掺杂层的顶部自由区域及内侧面、缓冲层的侧面、调制层的顶部和侧面； 所述缓冲层包含多层； 多层缓冲层由不同组分含量的两组分化合物构成； 多层缓冲层中各层两组分化合物两组分比例按照正向梯度或者反向梯度变化；其中，两组分化合物通式满足：A1-xBx，其中，A、B表示两组分化合物组成元素；x≤1，表示两组分化合物中元素B的原子数； 所述两组分化合物通式满足：按照从下至上成型顺序将多层缓冲层依次标记为：第一缓冲层，…，第N缓冲层；第N缓冲层的两组分化合物通式为A1-x NBx N，第N-1缓冲层的两组分化合物通式为A1-x N-1Bx N-1，x N-1＜x N或x N-1＞x N；其中，A、B表示两组分化合物组成元素，x N表示第N缓冲层的两组分化合物元素B的原子数，（1-x）N，表示第N缓冲层的两组分化合物元素A的原子数。

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