安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有自束缚激子层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116865095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310471625.5，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种设有自束缚激子层的半导体激光元件是由李水清;王星河;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;胡志勇;张江勇设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有自束缚激子层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有自束缚激子层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与下波导层之间和下波导层与下限制层之间设有自束缚激子层，自束缚激子层具有拓扑单斜相周期性铁电畴，形成强平面外自发极化诱导自束缚激子，将自由激子束缚能从10meV以下提升至20meV以上，降低激光的激子辐射的温度阈值，在室温或更高温度下可实现激子光辐射，同时，增强激光元件的激子辅助受激辐射，降低有源层的极化效应，降低量子限制斯塔克效应，降低激光元件的激发阈值，提升室温内下连续振荡，增强限制因子和增益均匀性，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种设有自束缚激子层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有自束缚激子层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：有源层（103）与下波导层（102）之间和下限制层（101）与下波导层（102）之间设有自束缚激子层（107），所述自束缚激子层（107）为NbO2、Sb2Te3、KNbO3、Bi2O2Se、Ag2SFe2O8、Ag8GeS6的任意一种或任意组合，所述自束缚激子层（107）具有拓扑单斜相周期性铁电畴，形成强平面外自发极化诱导自束缚激子，增强激光元件的激子辅助受激辐射，降低激光元件的激发阈值，提升室温内下连续振荡，增强限制因子，提升激光元件的光功率和斜率效率。
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