宁波大学焦清获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种钨和卤素共掺杂的高电导率固体电解质及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310411832.1，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权一种钨和卤素共掺杂的高电导率固体电解质及其制备方法是由焦清;舒铃钧;林常规;高成伟;康世亮;龚哲敏;尹经轩设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钨和卤素共掺杂的高电导率固体电解质及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的钨和卤素共掺杂的高电导率固体电解质为钠离子硫系电解质，其主要晶体结构为立方相c‑Na3SbS4，该固体电解质为玻璃基质包裹高电导率c‑Na3SbS4晶体的玻璃陶瓷结构，固体电解质的组成式为aNa2S‑bSb2S3‑cWS2‑dS‑eNaM，其中M为Cl、Br、I中的任意一种元素，a、b、c、d、e均为摩尔比，0.3≤a≤1.2，0.1≤b≤0.4，0.2≤c≤0.8，d＝1，e＝c。本发明固体电解质的室温离子电导率高、稳定性好，并且具有较低的活化能，大大提高了离子的传输效率。本发明制备方法制备的钠离子硫系电解质结构致密、杂质少、结晶度更高，且室温离子电导率高，性能可控性强。
本发明授权一种钨和卤素共掺杂的高电导率固体电解质及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钨和卤素共掺杂的高电导率固体电解质，其特征在于，所述的固体电解质为同时掺杂有钨和卤素的钠离子硫系电解质，其主要晶体结构为立方相c-Na3SbS4，所述的固体电解质为玻璃基质包裹高电导率c-Na3SbS4晶体的玻璃陶瓷结构，所述的固体电解质的组成式为aNa2S-bSb2S3-cWS2-dS-eNaM，其中M为Cl、Br、I中的任意一种元素，a、b、c、d、e均为摩尔比，0.3≤a≤1.2，0.1≤b≤0.4，0.2≤c≤0.8，d＝1，e＝c。
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