湖北九峰山实验室胡浩获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种硅基光电器件单片集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116598387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310371075.X，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种硅基光电器件单片集成方法是由胡浩;柳俊;向诗力设计研发完成，并于2023-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基光电器件单片集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基光电器件单片集成方法，包括如下步骤：在硅衬底上形成光子隔离层；在光子隔离层上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，使非晶硅层表层晶化为多晶硅层；在非晶硅层制备光无源器件；在多晶硅层制备光有源器件。本发明的方法能够协同发挥非晶硅传输损耗小、多晶硅迁移率高的优势，从而提高光电器件品质。
本发明授权一种硅基光电器件单片集成方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基光电器件单片集成方法，其特征在于，包括如下步骤： 在硅衬底上形成光子隔离层； 在所述光子隔离层上沉积非晶硅层； 对所述非晶硅层进行激光退火，使所述非晶硅层表层晶化为多晶硅层； 在所述非晶硅层制备光无源器件； 在所述多晶硅层制备光有源器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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