中国科学院上海技术物理研究所王林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利特殊偶极子天线的室温拓扑绝缘体异质结光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325882.8，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权特殊偶极子天线的室温拓扑绝缘体异质结光电探测器是由王林;姚晨禹;王东;姜梦杰;陈效双设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本特殊偶极子天线的室温拓扑绝缘体异质结光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种特殊偶极子天线的室温拓扑绝缘体异质结光电探测器。器件制备步骤是将化学气相沉积生长的锗铋碲转移到有二氧化硅氧化层的高阻硅衬底上，然后采用干法转移碲化铋材料与锗碲铋形成异质结，再利用紫外光刻技术制作源、漏电极，并利用紫外光刻、电子束蒸发、剥离等工艺，制备成具有特殊天线结构的拓扑绝缘体异质结光电探测器。利用独特的天线结构，将太赫兹场集中在入射器件上，实现亚波长尺度光子结构控制下的集体等离激元振荡效率和吸收的增强，大幅提高光电探测器的灵敏度。所述的光电探测器在太赫兹波段体现了超高的响应率和较宽的响应谱。本发明的优点是探测率高，响应快，宽谱响应，功耗低和便于集成。
本发明授权特殊偶极子天线的室温拓扑绝缘体异质结光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种特殊偶极子天线的室温拓扑绝缘体异质结光电探测器，包括Si衬底1、SiO2氧化层2、锗铋碲4和碲化铋5，其特征在于： 所述的探测器结构：在Si衬底1上设置SiO2氧化层2、在SiO2氧化层2上制备有锗铋碲4和碲化铋5，锗铋碲4和碲化铋5形成异质结，在锗铋碲4的一端设置源电极3，在碲化铋5的一端设置漏电极6，其结构由非对称偶极子天线组成，源漏间的距离为2-4μm； 所述的衬底1是本征高阻硅，其电阻率为20000-30000Ω·cm,厚度为500-600μm；覆盖在其上的是二氧化硅2，厚度为200-300nm； 所述的锗铋碲4为锗铋碲纳米薄片，厚度为50-70nm； 所述的碲化铋5为碲化铋纳米薄片，厚度为70-100nm； 所述的天线结构源电极3和漏电极6为金属复合电极，金属复合电极的下层金属为铬Cr，金属复合电极的上层金属为金Au,金属复合电极的厚度范围90-110nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海技术物理研究所，其通讯地址为：200083 上海市虹口区玉田路500号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号