电子科技大学方健获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种直流到直流转换的电荷泵电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116073661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310123095.5，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种直流到直流转换的电荷泵电路是由方健;唐玲丽;师丽娟;杨曦和;颜泠;张益森;梁英东设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直流到直流转换的电荷泵电路在说明书摘要公布了：本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种直流到直流转换的电荷泵电路。本发明用输入电压Vs将电容充满电后,两端断开与原充电电路的连接，电容负极板接到原输入电压Vs，此时电容正极板值就会被抬高。也就是给电容充电，把电容从充电电路取下以隔离充进的电荷，然后连接到另一个电路上，传递刚才隔离的电荷。本发明利用电容的充放电特性，将输入电压提高后得到一个输出电压，实现直流到直流的电压转换。本发明的结构避免了常用电荷泵电路中的反向二极管难集成的问题，精简了芯片引脚。
本发明授权一种直流到直流转换的电荷泵电路在权利要求书中公布了：1.一种直流到直流转换的电荷泵电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第一电阻、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第一二极管；其中，第二NMOS管的漏极接电源，其栅极接第一偏置电压，其源极接第一二极管的阳极；第一二极管的阴极接第一电容的一端和第三NMOS管的源极；第一电容的另一端接第四NMOS管的源极和第一NMOS管的漏极；第四NMOS管的漏极接电源，其栅极接第二偏置电压；第一NMOS管的栅极接第一偏置电压，其源极接第一电阻的一端和第一齐纳二极管的阳极；第一电阻的另一端接地；第一齐纳二极管的阴极接第二齐纳二极管的阳极，第二齐纳二极管的阴极接电源；第三NMOS管的栅极接第二偏置电压；所述第三NMOS管的漏极为电荷泵电路的高侧输出端，第一NMOS管的源极为电荷泵电路的低侧输出端。
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