安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111854.6，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件是由李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层和下限制层设有受激布里渊散射层；所述受激布里渊散射层由上限制层和下限制层通过结构设计出MgC浓度比例、MgO浓度比例、MgH浓度比例和Al浓度差异而形成，从而限制光子和声子传播，将布里渊区的声子限制在激光器中，抑制声子泄漏，利用声子操纵受激布里渊散射反射特定波长的光谱，提升布里渊散射增益系数，降低光波导吸收损耗和内部光学损耗，提升激光功率和斜率效率，同时，减少激光模数，提升光子简并度，提升输出激光相干性。
本发明授权一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：下限制层（101）与上限制层（106）形成受激布里渊散射层（107），所述受激布里渊散射层（107）由上限制层（106）和下限制层（101）通过结构设计出MgC浓度比例、MgO浓度比例、MgH浓度比例和Al浓度差异而形成，从而限制光子和声子传播，将布里渊区的声子限制在激光器中，抑制声子泄漏，利用声子操纵受激布里渊散射反射特定波长的光谱，提升布里渊散射增益系数，降低光波导吸收损耗和内部光学损耗，提升激光功率和斜率效率，同时，减少激光模数，提升光子简并度，提升输出激光相干性。
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