中国科学院上海光学精密机械研究所张琪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利超高功率激光倍频的非线性晶体优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116257991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310071552.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权超高功率激光倍频的非线性晶体优化方法是由张琪;姜秀青;朱宝强;杨琳;朱坪;朱健强;唐顺兴;郭亚晶;刘崇设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本超高功率激光倍频的非线性晶体优化方法在说明书摘要公布了：一种基于晶体倍频理论的非线性晶体切割方案优化方法，涉及到超高功率激光倍频领域，该方法依据晶体倍频理论，通过调整倍频晶体的切割角度，在保证晶体高效倍频输出的同时，适当提高晶体厚度以降低晶体加工难度。本方法可以得到一种既满足高效倍频又符合现有加工情况的一种方案，最终达到超高功率的高效的倍频输出。
本发明授权超高功率激光倍频的非线性晶体优化方法在权利要求书中公布了：1.一种超高功率激光倍频的非线性晶体优化方法，其特征在于，包括步骤如下： S1.通过理论计算非线性晶体在特定情况下达到最佳倍频效率时的非线性晶体厚度，得到此时的非线性晶体的倍频转换效率； S2.通过改变非线性晶体的切割角度，得到在不同切割角度情况下，倍频转换效率随非线性晶体厚度的关系； S3.将步骤S1得到最佳倍频效率时的晶体厚度与最高倍频转换效率，与步骤S2得到不同切割角度时非线性晶体厚度与倍频转换效率进行对比，选择合适的晶体切割角度，即非线性晶体厚度增加与倍频转换效率下降的最优方案； 所述步骤S1中非线性晶体为KDP晶体的Ⅰ类二倍频的情况下有如下耦合波方程： 其中表示光电场E1 ′沿着晶体z方向的变化，n1n2n3表示相应频率介质的折射率，Δk为相位失配因子，α表示吸收系数，ω1为基频光的角频率，c为真空中的光速，ε0为真空介电常量，θm为晶体的相位匹配角，d36为KDP晶体的有效倍频系数，为晶体切割角度，K为倍频转换效率系数。
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