安徽大学刘中刚获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种芯片式半球状氧化铜微电极及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116183694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211666532.X，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权一种芯片式半球状氧化铜微电极及制备方法和应用是由刘中刚;朱亚东;郭正设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片式半球状氧化铜微电极及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提出了一种芯片式半球状氧化铜微电极及制备方法和应用，所述氧化铜微电极包括在导电基底上原位生长且堆积形成半微球体的纳米铜和纳米氧化铜；其中，所述半微球体的表层是由所述纳米氧化铜堆积形成。本发明提出的一种芯片式半球状氧化铜微电极及制备方法和应用，所述氧化铜微电极同时具备了粗糙的界面结构和暴露的立体晶面，因此构筑的微电极具有良好的稳定性和重现性；当将其应用于传感器对葡萄糖进行检测时，可获得优异的灵敏度、抗干扰性和稳定性；与此同时，所述微电极的半微球体不易脱落，微电极之间的性能差异性小，使得无酶葡萄糖传感器的大规模批量生产成为可能。
本发明授权一种芯片式半球状氧化铜微电极及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种芯片式半球状氧化铜微电极的应用，其特征在于，所述氧化铜微电极用于无酶葡萄糖传感器中； 所述氧化铜微电极包括在导电基底上原位生长且堆积形成半微球体的纳米铜和纳米氧化铜；其中，所述半微球体的表层是由所述纳米氧化铜堆积形成； 所述半微球体的尺寸为2-20μm，且所述半微球体的表层厚度为50-500nm； 所述芯片式半球状氧化铜微电极是通过下述方法制备而成：采用电化学沉积方法在导电基底上原位生长并堆积形成半微球体的纳米铜，再进一步经过氧化热处理使半微球体表层的纳米铜原位氧化成氧化铜，即得到所述氧化铜微电极； 所述电化学沉积方法具体包括：采用裸微芯片电极作为工作电极，二价铜盐溶液作为电解质溶液，在对电极和参比电极的配合下进行恒电位沉积，即在工作电极上原位生长并堆积形成半微球体的纳米铜；其中，所述裸微芯片电极包括金导电基底和位于金导电基底上且具有开放微孔结构的二氧化硅薄膜。
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