西北工业大学陈小青获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种具有二次光电响应的红外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211385779.4，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种具有二次光电响应的红外光电探测器是由陈小青;甘雪涛设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有二次光电响应的红外光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有二次光电响应的红外光电探测器，其包括绝缘衬底、金电极、银电极、n型InSe半导体和p型GaSe半导体，本方案的光电探测器的结构为：金电极在绝缘衬底上方，GaSe半导体在金电极上方，InSe半导体在GaSe半导体上方并形成InSeGaSe异质结，银电极在InSe上方，InSe半导体与GaSe半导体接触形成的InSeGaSe异质结具有PN结特性，可以形成内建电场以有效抑制探测器的暗电流，InSe半导体和GaSe半导体的光学二阶非线性将本不能被InSe半导体和GaSe半导体吸收的红外光转化为可以被InSe半导体吸收的二次谐波，进而产生光生载流子，进一步在PN结内建电场作用下产生光电流；本方案的探测器具有二次功率系数，可用于超短脉冲宽度测量，超分辨成像，以及超快光电混频信号处理。
本发明授权一种具有二次光电响应的红外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种具有二次光电响应的红外光电探测器，其特征在于，包括绝缘衬底1、金电极2、银电极3、n型InSe半导体4和p型GaSe半导体5； 所述n型InSe半导体4和p型GaSe半导体5之间接触，所述接触部分形成PN结并位于金电极2上方，所述p型GaSe半导体5与金电极2接触，所述银电极3与n型InSe半导体4接触，所述金电极2加负电压，所述银电极3加正电压； 所述p型GaSe半导体5和n型InSe半导体4的晶体类型为具有二阶非线性的ε类型，且在脉冲光的照射下产生二次谐波，并将小于p型GaSe半导体5和n型InSe半导体4带隙的红外光光子转化为可以为n型InSe半导体4吸收的光子，所述光子为PN结接收并转化为光电流。
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