无锡麟力科技有限公司刘桂芝获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡麟力科技有限公司申请的专利基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211287904.8，技术领域涉及：H01S3/16；该发明授权基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法是由刘桂芝;罗卫国;马丙乾;蒋小强设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法，基于硒化银纳米晶的近红外激光器依次包括：基板、分布反馈光栅层及硒化银纳米晶层；硒化银纳米晶层由硒化银纳米晶组成，硒化银纳米晶为正方晶相，直径范围为6nm～10nm。本发明利用硒化银纳米晶作为激光器的光增益介质，实现了零阈值的带边态光增益；利用量子限域效应，通过调节硒化银纳米晶的尺寸来调节硒化银纳米晶导带底和环境费米能级的相对位置，从而获得带边电子态1Se被电子占据的硒化银纳米晶，近红外发射波长可调，无须添加易被氧化的空穴捕获剂，硒化银纳米晶在大气环境下是稳定的，晶体结构和表面状态也不会被破坏；本发明的硒化银材料为低毒的环保型材料，对环境友好。
本发明授权基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硒化银纳米晶的近红外激光器，其特征在于，所述基于硒化银纳米晶的近红外激光器依次包括： 基板、分布反馈光栅层及硒化银纳米晶层； 所述硒化银纳米晶层由硒化银纳米晶组成，所述硒化银纳米晶为正方晶相，直径范围为6nm～10nm，所述分布反馈光栅的光栅周期与有效折射率的乘积等于所述硒化银纳米晶的带边发射峰波长。
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