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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种闪存数据通路校准的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116088750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211285424.8，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种闪存数据通路校准的方法是由刘凯;王璞;李瑞东设计研发完成，并于2022-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存数据通路校准的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存数据通路校准的方法读校准方法，包括读校准过程和写入校准过程，预先写入一个page标准数据；在系统运行时优先进行读取校准，每隔一段时间读取P_read。读取P_read时，将P_read的长度等分成N份，每份在读取时使用不同的X_read参数。将读取数据与标准数据进行比较，选择错误位数最小的X_read参数作为后续系统运行的X_read参数使用。如果最小错误位数大于设定的阈值，则不更新X_read并进入写入校准过程。写入校准过程首先擦除B_data，对X_write参数进行写入处理，每次写入完成后都会使用读取校准的方式获取错误位数最小的X_read，如果错误位数小于阈值Y，则退出整个写入校准过程，更新X_write和X_read作为系统后续运行的物理层参数使用。本发明提升闪存访问的数据稳定性。

本发明授权一种闪存数据通路校准的方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存数据通路校准的方法，其特征在于，包括读校准过程和写入校准过程，具体如下： 在SLCblock预先写入一个page标准数据P_read，记录P_read值为0； 所述读校准过程如下： 1）每隔一段时间T读取SLCblock的P_read数据，校准过程结束后P_read会被更新； 2）读取P_read时，将P_read的长度等分成N份，每份在读取时使用不同的X_read参数，所述X_read参数为闪存控制器物理层参数中的readdqsdelay，设置初始物理层参数X_read为X_read-S_read*n-12，式中n为计数值，并设置X_read参数每次调整的步长为S_read， 3）每读取一次将读取的数据与标准数据进行比较，统计每份数据的错误位数M_n，找到错误位数最小值M_min， 4）判断M_min是否小于阈值Y，如果是选择错误位数最小的X_read参数作为后续系统运行的X_read参数使用；如果最小错误位数大于设定的阈值Y，则不更新X_read并进入写入校准过程； 所述写入校准过程如下： 1）擦除SLCblock，设置调整步长为S_write， 2）设置写入page编号P_write为0，设置计数值n为1，把X_write增加S_write； 3）使用当前X_write参数配置，所述X_write参数为闪存控制器物理层参数writeclockdelay，将标准数据写入P_write，然后执行读校准过程获取M_min；判断M_min是否小于阈值Y，如果是则更新P_read为P_write，更新X_write为当前M_min对应的X_write；更新X_read为当前M_min对应的X_read，然后结束写校准过程；如果否则继续进行以下步骤： 设置P_write加1，设置计数值n加1，判断P_write的奇偶，如果奇数则将X_write减去，然后执行步骤3；如果偶数则将X_write增加，然后执行步骤3。

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