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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利图形修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115469514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211221485.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权图形修正方法是由吴青;范晓;江志兴设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本图形修正方法在说明书摘要公布了：一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，包括若干待修正图形；获取掩模版的最小工艺尺寸和最小设计尺寸；获取掩膜版尺寸限定规则，所述掩膜版尺寸限定规则包括若干待设定参数，所述待设定参数包括投影距离；根据最小工艺尺寸和最小设计尺寸获取待设定参数的限定条件；根据限定条件对待设定参数进行取值，获取若干待设定参数数值；根据待设定参数的数值对待修正图形进行光学邻近效应修正，获取若干全局残值；以若干投影距离的取值数值为横坐标，以全局残值为纵坐标，获取若干条曲线；根据曲线的斜率以及对应的全局残值，获取待设定参数的目标数值；根据待设定参数的目标数值对待修正图形进行光学邻近效应修正。提升光学邻近效应修正的精确度。

本发明授权图形修正方法在权利要求书中公布了：1.一种图形修正方法，其特征在于，包括： 提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形； 获取掩模版的最小工艺尺寸和最小设计尺寸； 获取掩膜版尺寸限定规则，所述掩膜版尺寸限定规则包括若干待设定参数，若干待设定参数为待修正图形边长的不同分类，所述待设定参数包括投影距离，所述投影距离为相邻两个待修正图形的边在某一方向上的共同投影长度； 根据最小工艺尺寸和最小设计尺寸获取待设定参数的限定条件，所述限定条件包括第一系数和第二系数，所述限定条件包括：第一条件、第二条件和第三条件，所述第一条件为：MML≤（N1，N2）≤k×MDL，所述第二条件为：MMS≤（N3，N4）≤k×MDS，所述第三条件为：（1-j）×MDL≤N5≤（1＋j）×MDL，其中，k为第一系数，j为第二系数，MML为掩膜版最小线宽，MDL为掩膜版最小设计线宽，MMS为掩膜版最小线距，MDS为掩膜版最小设计线距，N1为非投影线宽，N2为投影线宽，N3为非投影线距，N4为投影线距，N5为投影距离； 根据所述限定条件，对所述掩膜版尺寸限定规则中的若干待设定参数进行取值，获取若干批次待设定参数数值； 根据所述待设定参数的数值对待修正图形进行光学邻近效应修正，获取若干全局残值，若干所述全局残值与若干批次待设定参数数值一一对应； 以若干所述投影距离的取值数值为横坐标，以与所述投影距离的取值数值对应的全局残值为纵坐标，获取若干条曲线，同一条曲线上若干点对应的第一系数和第二系数取值相同； 根据所述曲线的斜率以及对应的全局残值，获取待设定参数的目标数值； 根据待设定参数的目标数值对待修正图形进行光学邻近效应修正。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。