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龙图腾网获悉中国振华集团云科电子有限公司申请的专利一种基于NTC热敏陶瓷基板芯片温补衰减器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211184970.2，技术领域涉及：H01P11/00；该发明授权一种基于NTC热敏陶瓷基板芯片温补衰减器的制作方法是由贺勇;庞锦标;窦占明;陈昌禧;韩光学;李淼;戴思灿设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于NTC热敏陶瓷基板芯片温补衰减器的制作方法在说明书摘要公布了：一种基于NTC热敏陶瓷基板芯片温补衰减器的制作方法，属于电子元器件技术领域。包括NTC热敏陶瓷基板、薄膜电阻层、薄膜电极层、背面绝缘保护层。NTC热敏电阻由NTC热敏陶瓷基板及其电极组成，既是芯片温补衰减器的承载体，也是芯片温补衰减器衰减网络的负温度系数电阻的功能体；在NTC热敏陶瓷基板的上表面制备薄膜电阻，在薄膜电阻层上制备薄膜电极层；在NTC热敏陶瓷基板的底表面制备背面绝缘保护层；电阻薄膜既是芯片温补衰减器衰减网络的正温度系数电阻功能体，也是电极层的粘附阻档层。解决了现有温补衰减器尺寸较大、N值低、应用频率低的问题。所述芯片温补衰减器广泛应用于5G通信、电子雷达、人机交付等领域。

本发明授权一种基于NTC热敏陶瓷基板芯片温补衰减器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于NTC热敏陶瓷基板芯片温补衰减器的制作方法，其特征在于： 所述芯片温补衰减器的结构包括NTC热敏陶瓷基板、薄膜电阻层、薄膜电极层、背面绝缘保护层； 所述芯片温补衰减器的电阻衰减网络由NTC热敏电阻、薄膜电阻和薄膜电极共同组成； 所述NTC热敏电阻由NTC热敏陶瓷基板及其电极组成，所述NTC热敏陶瓷基板既是芯片温补衰减器的承载体，也是芯片温补衰减器衰减网络的负温度系数电阻的功能体； 所述NTC热敏陶瓷基板为双面抛光基板，在NTC热敏陶瓷基板的上表面制备薄膜电阻，在薄膜电阻层上制备薄膜电极层；在NTC热敏陶瓷基板的底表面制备背面绝缘保护层； 所述薄膜电阻由NTC热敏陶瓷基板上的电极与溅射电阻薄膜组成，所述电阻薄膜既是芯片温补衰减器衰减网络的正温度系数电阻功能体，也是电极层的粘附阻档层； 所述芯片温补衰减器的制作方法如下： （1）清洗：选取双面抛光的NTC热敏陶瓷基板，依次用陶瓷清洗剂、丙酮、酒精，去离子水对基板进行超声波清洗，然后在烘箱中烘干； （2）电阻膜层溅射：采用磁控溅射的方法在NTC热敏陶瓷基板的一侧抛光面上制备电阻膜层； （3）电极层溅射：采用磁控溅射的方法在已制备电阻膜层的热敏陶瓷基板上电极膜层； （4）一次光刻：涂胶、曝光、显影；刻蚀电极膜层，刻完后去胶； （5）二次光刻：刻蚀出电极后，再次涂胶、烘烤、曝光、显影，刻蚀薄膜电阻层，刻完后去胶； （6）背面绝缘层制备：采用旋转涂覆的方式，在NTC热敏陶瓷基板上的背面制备聚酰亚胺薄膜保护层，进行前烘、曝光、后烘；然后在烘箱中固化； （7）划片切割：采用机械切割的方法，对NTC热敏陶瓷基板进行划片切割，制得设定尺寸的芯片温补衰减器。

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