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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211049852.0，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法是由李轩;王常旺;赵汉青;李凌峰;邓小川;张波设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法，包括衬底背面铝薄膜、硅N+型衬底、超结N区、超结P区、绝缘层介质、氧化硅薄膜、金属薄膜，包括步骤：1在N+硅衬底片上制备介质超结结构，然后在超结结构表面生长氧化硅薄膜，接着在氧化硅薄膜表面与N+衬底背面溅射一层金属薄膜，进而制备得到用于电学测试的介质超结MIS结构器件；2在高频条件下测试介质超结MIS结构的正偏压与负偏压C‑V特性曲线；3根据测试的C‑V特性曲线，通过比较正偏电容值与负偏电容值的大小，对超结结构是否保持电荷平衡进行判定。本发明可判断超结结构的电荷平衡情况与NP区具体的非平衡度，该判断方法简单且有效。

本发明授权评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构的测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在N+硅衬底片上进行N型外延，在N型外延上刻蚀沟槽，再对沟槽生长绝缘层介质，然后填充P型外延，得到介质超结结构，然后在超结结构表面生长氧化硅薄膜，接着在氧化硅薄膜表面与N+衬底背面溅射一层金属薄膜，进而制备得到用于电学测试的介质超结MIS结构器件； 2在高频条件下测试介质超结MIS结构的正偏压与负偏压C-V特性曲线； 3根据测试的C-V特性曲线，当正偏压达到某一值后C-V曲线保持水平不变，令此时的测试电容与绝缘层氧化硅电容的比值为正偏电容值；当负偏压达到某一值后C-V曲线保持水平不变，令此时的测试电容与绝缘层氧化硅电容的比值为负偏电容值；通过比较正偏电容值与负偏电容值的大小，正偏电容值用于判断P区的掺杂情况，负偏电容值用于判断N区的掺杂情况，如果二者相等，则说明超结N区和P区浓度相等，即超结NP区电荷平衡；如果正偏电容值大于负偏电容值，则说明P区浓度大于N区浓度；如果负偏电容值大于正偏电容值，则说明N区浓度大于P区浓度；若N区和P区电荷非平衡，通过正偏电容值与负偏电容值公式推出具体的非平衡度。

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