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龙图腾网恭喜安徽芯动联科微系统股份有限公司;北京芯动致远微电子技术有限公司申请的专利一种MEMS传感器芯片与ASIC芯片的扇出型封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115196583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211024021.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种MEMS传感器芯片与ASIC芯片的扇出型封装结构及封装方法是由苏佳乐;华亚平设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS传感器芯片与ASIC芯片的扇出型封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种MEMS传感器芯片与ASIC芯片的扇出型封装结构及封装方法，由MEMS传感器芯片、ASIC芯片和中介基板组成，中介基板上有空腔，ASIC芯片粘在空腔内，ASIC芯片的引线焊接区通过重新布线工艺形成扇出型焊接区，焊接区上通过印刷焊接球与MEMS传感器芯片焊接或者与外部基板电学连接，中介基板上形成通孔，将ASIC芯片的信号引出至中介基板的另一面，并在另一面加工出引线键合区域，与外部基板电学连接或者与MEMS传感器芯片通过倒装焊的植球工艺相连接，中介基板上有应力隔离槽隔离，从而避免因热失配引起的应力问题。该结构适用于不同尺寸和厚度的MEMS传感器芯片和ASIC芯片组合的封装，提高加工的灵活性，降低加工的复杂程度和难度，可以有效降低成本并用于量产。

本发明授权一种MEMS传感器芯片与ASIC芯片的扇出型封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS传感器芯片与ASIC芯片的扇出型封装结构，由中介基板、MEMS传感器芯片和ASIC芯片组成，中介基板的正面有空腔，ASIC芯片通过装片胶粘在空腔中，其特征在于： 中介基板正面制作有第一介质层，ASIC芯片和第一介质层上压制有干膜，干膜上对应ASIC芯片的引线键合区处开孔将ASIC芯片的引线键合区露出，ASIC芯片的引线键合区上溅射有种子层并在种子层上电镀金属形成金属线，干膜上涂覆有第一RDL层并图形化第一RDL层将金属线引出，金属线与第一焊接球连接； 中介基板上有通孔，通孔内填充导电材料，导电材料与通孔内壁间有绝缘层隔离，形成导电通孔，导电通孔与引线引出区连接，导电通孔的信号通过引线引出区和金属线引出至中介基板的正面； 中介基板的背面淀积第二介质层，第二介质层上对应导电通孔的区域开孔并溅射金属形成金属键合区，第二介质层的背面涂覆第二RDL层并图形化将金属键合区露出，金属键合区与第二焊接球连接； 中介基板上有应力隔离槽； 所述的MEMS传感器芯片通过第一焊接球键合在中介基板正面或通过第二焊接球键合在中介基板背面。

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